目錄:北京北埃特光電子技術有限責任公司>>紅外探測器>>紅外氣體探測器>> PVA-3-d1.2-SMDIII-V族短波紅外探測器
| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,航天 | 波長響應范圍： | 1.3-3.6微米 |
| 工作溫度： | 室溫 | 封裝形式： | SMD |
| 峰值電流響應率： | Ri>0.6A/W（典型） | 峰值探測率： | D*>3.0E9 |
III-V族短波紅外探測器光敏材料為InAs，符合嚴苛的歐洲環(huán)保標準；采用SMD封裝，小型可靠易于安裝；波長響應為1.3-3.6微米、覆蓋從短波到中波紅外；線性響應范圍寬，響應功率從1微瓦到數(shù)毫瓦；無需制冷工作在室溫環(huán)境；適合用于CO、HF、NH3、C2H2、CH4、C2H6、HCI等氣體探測。
III-V族短波紅外探測器的主要技術指標：
工作環(huán)境溫度：20 攝氏度；
波長響應：1.3-3.6微米
峰值響應波長：2.9微米；
峰值電流響應率Ri：0.6 A/W;
峰值探測率D*：>3.0x109
1.3微米處響應率：>10%峰值響應率；
3.6微米處響應率：>10%峰值響應率；
響應時間：<45 納秒
封裝：SMD；
入射角：>115 度
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