Wavetek Willtek無(wú)線電測(cè)試儀維修檢測(cè)在查看任何無(wú)線電綜測(cè)儀故障并測(cè)試任何類(lèi)型的晶體管電路時(shí)，先是尋找明顯的或主要的故障。這是修理任何設(shè)備的關(guān)鍵階段之一。幸運(yùn)的是，晶體管無(wú)線電綜測(cè)儀等電子設(shè)備的大多數(shù)故障都相對(duì)容易發(fā)現(xiàn)——許多故障非常明顯，有些甚至可能不需要任何測(cè)試設(shè)備。它們通常由運(yùn)動(dòng)和物理?yè)p壞引起，因此通常很容易發(fā)現(xiàn)這些故障和問(wèn)題。因此，任何故障查找的都是尋找主要問(wèn)題。

補(bǔ)充焊可以解決焊不足的問(wèn)題，應(yīng)當(dāng)取出位移較大的IC組件，并以手工方式將其焊接回去，銅由于其優(yōu)異的導(dǎo)電性和物理性能而被無(wú)線電綜合測(cè)試儀(印刷無(wú)線電綜合測(cè)試儀)選擇為導(dǎo)電材料，但是，暴露于空氣中時(shí)，銅表面趨于被氧化。玻璃纖維的特性可歸納為以下幾個(gè)方面:1)高強(qiáng)度2)耐熱防火3)耐濕4)優(yōu)異的絕緣能力。

Wavetek Willtek無(wú)線電測(cè)試儀維修檢測(cè)

1、查電路先是確保它有電源供應(yīng)。這可以使用設(shè)置為電壓范圍的萬(wàn)用表輕松完成。使用無(wú)線電綜測(cè)儀在電源進(jìn)入電路板的位置測(cè)量電壓。如果萬(wàn)用表指示沒(méi)有電源電壓，則可以有多種可能性進(jìn)行：
2、如果無(wú)線電綜測(cè)儀由電池供電，則電池可能沒(méi)電了。有時(shí)這可能很明顯，因?yàn)殡姵乜赡苷谛孤Ｈ绻沁@種情況，請(qǐng)取出電池并清潔可能泄漏到電池座上的任何殘留物，尤其是觸點(diǎn)。殘留物會(huì)導(dǎo)致觸點(diǎn)被腐蝕，因此很好地清潔觸點(diǎn)。小心不要接觸殘留物，因?yàn)樗赡芫哂懈g性
3、如果電池狀況不是那么明顯，那么使用測(cè)試儀進(jìn)行簡(jiǎn)單的電壓測(cè)量可以突出顯示這是否是一個(gè)問(wèn)題。打開(kāi)無(wú)線電綜測(cè)儀時(shí)，用測(cè)試表檢查電壓。如果電池不能提供所需的電流，則當(dāng)無(wú)線電綜測(cè)儀打開(kāi)時(shí)電壓會(huì)下降。
4、通斷開(kāi)關(guān)故障。這可以通過(guò)斷開(kāi)任何電源來(lái)檢查 - 從電源中移除電源線以*隔離設(shè)備。然后檢查開(kāi)關(guān)的連續(xù)性，檢查它的開(kāi)和關(guān)位置 - 為此使用萬(wàn)用表上的歐姆范圍。還請(qǐng)記住，開(kāi)關(guān)可能會(huì)在輸入電源的兩側(cè)進(jìn)行切換，即火線和零線，并且開(kāi)關(guān)的任一側(cè)都可能不起作用。
5、如果存在保險(xiǎn)絲，則值得檢查。取下保險(xiǎn)絲并用萬(wàn)用表檢查導(dǎo)通性。其電阻應(yīng)小于歐姆。
6、被腐蝕的連接器。一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題是連接器會(huì)隨著時(shí)間的推移而腐蝕，連接會(huì)變得很差，特別是一段時(shí)間沒(méi)有使用的設(shè)備。為了克服這個(gè)問(wèn)題，它可以幫助拔下然后重新配對(duì)連接器。
7、檢查任何會(huì)阻止電源到達(dá)電路板的斷線。隨著時(shí)間的推移和設(shè)備的移動(dòng)，引線可能會(huì)斷裂。一個(gè)特定的區(qū)域可能是電池引線 - 這些引線特別容易因需要移動(dòng)而損壞，如果以粗暴的方式更換電池，這可能導(dǎo)致引線斷裂。檢查視覺(jué)標(biāo)志，并使用萬(wàn)用表歐姆范圍。

當(dāng)大電流流過(guò)時(shí)，橋接可能會(huì)導(dǎo)致意外的連接，短路，組件故障或布線燒毀，，緊急措施#4，與無(wú)線電綜合測(cè)試儀中焊接有關(guān)的第四個(gè)缺陷是引腳或引線的潤(rùn)濕性不足。這是由于焊料過(guò)多或不足引起的，另外，由于過(guò)熱或粗糙焊接。因此，應(yīng)適當(dāng)關(guān)注和控制與ESD保護(hù)措施有關(guān)的相應(yīng)鏈接，以便可以及時(shí)調(diào)整所有不合格的問(wèn)題。

Wavetek Willtek無(wú)線電測(cè)試儀維修檢測(cè) 這實(shí)際上是自然現(xiàn)象，與黑墊無(wú)關(guān)，導(dǎo)致黑墊的主要原因有兩個(gè)方面，首先，技術(shù)實(shí)施受到這樣的不良控制，使得晶體顆粒不均勻地生長(zhǎng)，并且在具有低質(zhì)量產(chǎn)生的鎳膜的晶體顆粒之間發(fā)生許多裂紋，其次，實(shí)施金浸沒(méi)需要很長(zhǎng)。以提高吞吐率，一方面，在空間有限的板上，組件布局和散熱，高密度布線，跨無(wú)線電綜合測(cè)試儀的長(zhǎng)距離傳輸以及各種信號(hào)的完整性。oiwhefgwerger