SiO2/Si基單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

英文名稱：monolayer continuous film of MoS2 on SiO2/Si  CVD

CAS號(hào)：1317-33-5

形態(tài)：薄膜

MoS2薄膜尺寸：約8 mm*8 mm

厚度：0.6～0.8nm

基底：SiO2/Si

氧化層：300nm

應(yīng)用：CVD法制備的單層二硫化鉬連續(xù)薄膜，相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬，具有缺陷少，層數(shù)可控，光學(xué)性質(zhì)，是研究層數(shù)和熒光效應(yīng)和制備器件的優(yōu)異材料。

保存條件：常溫干燥密封避光。

SiO2/Si基單層二硫化鉬連續(xù)薄膜

制備CVD氧化硅/硅基底上的單層二硫化鉬（MoS2）連續(xù)薄膜通常涉及一系列步驟，其中化學(xué)氣相沉積（CVD）是主要的制備方法。以下是一般的步驟：

基底準(zhǔn)備： 使用硅（Si）基底，并在其表面形成一層氧化硅（SiO2）薄膜。這可以通過熱氧化或物理沉積等方法完成。

CVD沉積： 選擇合適的前體氣體，其中包括硫化物和鉬前體。這些氣體在CVD反應(yīng)室中引入，并在SiO2/Si基底表面沉積單層二硫化鉬。反應(yīng)的溫度和氣體流速等參數(shù)需要精確控制以確保高質(zhì)量的MoS2薄膜的形成。

調(diào)控層厚： 通過調(diào)整CVD參數(shù)，如溫度、壓力和反應(yīng)時(shí)間，可以控制MoS2薄膜的厚度。單層MoS2通常是由三層原子組成的二維結(jié)構(gòu)。

后續(xù)處理： 可能需要進(jìn)行后續(xù)的退火或其他處理步驟，以優(yōu)化薄膜的結(jié)構(gòu)和性能。

表征： 對(duì)制備的MoS2薄膜進(jìn)行表征，例如使用掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）和拉曼光譜等技術(shù)，以確認(rèn)其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.22.         

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