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所 在 地西安市
更新時間:2023-12-20 10:05:28瀏覽次數(shù):195次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓?fù)浣^緣體
供貨周期 | 一周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
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Nb2SiTe4晶體,半導(dǎo)體,紅外材料
材料名稱:Nb2SiTe4晶體
性質(zhì)分類:半導(dǎo)體,紅外材料,ferroelastic semiconductors
禁帶寬度:0.2 eV
合成方法:CVT
剝離難易程度:易
保存注意事項:晶體穩(wěn)定性較好,但需要避開水氧保存
存儲:4℃冷藏、密封、避光
保存時間:1年
規(guī)格:mg
包裝:瓶裝/袋裝
用途:僅用于科研,不能用于人體
粉體XRD 測試
Nb2SiTe4晶體,半導(dǎo)體,紅外材料
Nb2SiTe4是一種由鈮(Nb)、硅(Si)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于層狀材料。它具有晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì),因其在拓?fù)浣^緣體領(lǐng)域的性質(zhì)而引起了科學(xué)家們的關(guān)注。
類似于其他拓?fù)浣^緣體材料,Nb2SiTe4可能表現(xiàn)出在表面或邊界上存在能帶結(jié)構(gòu)的性質(zhì),這些性質(zhì)使其在電子學(xué)、量子計算以及其他領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用價值。
然而,對于Nb2SiTe4的具體性質(zhì)和在各個領(lǐng)域的應(yīng)用潛力,科學(xué)界可能仍在進(jìn)行研究。對于新型材料,在拓?fù)浣^緣體領(lǐng)域,科學(xué)家們通常會對其進(jìn)行深入研究,以充分了解其性質(zhì)并探索其在新型電子學(xué)器件和技術(shù)中的應(yīng)用。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.20.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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