GeBi2Te4晶體，拓?fù)浣^緣體，紅外材料

材料名稱：GeBi2Te4晶體

性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體，紅外材料

禁帶寬度：0.837 eV

合成方法：CVT

晶體結(jié)構(gòu)：trigonal

剝離難易程度：易

用途：僅用于科研，不能用于人體

GeBi2Te4晶體，拓?fù)浣^緣體，紅外材料

GeBi2Te4是一種由鍺（Ge）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于鉍碲族化合物。

這種化合物屬于拓?fù)浣^緣體的一種，并顯示出一些電學(xué)性質(zhì)。拓?fù)浣^緣體由于其電子結(jié)構(gòu)而備受關(guān)注，其具有在表面形成能隙態(tài)的特性，對(duì)于量子計(jì)算和電子器件有著潛在的應(yīng)用。

GeBi2Te4的研究可能包括對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)和拓?fù)湫再|(zhì)的探索。對(duì)這類材料的研究有助于了解其在電子學(xué)和量子技術(shù)中的潛在應(yīng)用，雖然仍需要更多的實(shí)驗(yàn)和深入研究來(lái)全面

了解其性質(zhì)和實(shí)際應(yīng)用潛力。

相關(guān)產(chǎn)品：

HfSe2 二硒化鉿晶體 (Hafnium Diselenide)

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n-type Bi2Se3 crystals N型硒化鉍晶體

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以上資料來(lái)自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。