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所 在 地西安市
更新時(shí)間:2023-12-06 11:48:57瀏覽次數(shù):155次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 化工儀器網(wǎng)?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓?fù)浣^緣體
供貨周期 | 一周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
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石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,GFET-S31
中文名稱:石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31(GFET-S31)
英文名稱:Graphene Field-Effect Transistor chip S31
cas號:7440-44-0
芯片尺寸:10mm x10mm
芯片厚度 :525μm
每個(gè)芯片的GFET數(shù)量:30
柵氧化層厚度(EOT):20nm
柵極氧化物材料:Al2O3
Dirac點(diǎn):<5 V
良率 :>75%
石墨烯場效應(yīng)遷移率:>600cm2/V.S
應(yīng)用:石墨烯器件研究,化學(xué)傳感器,生物傳感器,生物電子學(xué),磁傳感器,光電探測器。
保存條件:常溫干燥避光,密封保存
石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,GFET-S31
GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀,利用高K金屬柵極 (HKMG)工藝流程提供EOT = 20nm的頂柵極。允許單獨(dú)控制芯片內(nèi)每個(gè)石墨烯通道的電導(dǎo)。有3種石墨烯通道尺寸,可以研究尺寸對器件屬性的依賴性,從而實(shí)現(xiàn)即時(shí)優(yōu)化。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.6.
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