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石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,GFET-S31

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所  在  地西安市

更新時(shí)間:2023-12-06 11:48:57瀏覽次數(shù):155次

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石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,GFET-S31
GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀,利用高K金屬柵極 (HKMG)工藝流程提供EOT = 20nm的頂柵極。

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,GFET-S31

中文名稱:石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31(GFET-S31)

英文名稱:Graphene Field-Effect Transistor chip S31

cas號:7440-44-0

芯片尺寸:10mm x10mm

芯片厚度 :525μm

每個(gè)芯片的GFET數(shù)量:30

柵氧化層厚度(EOT):20nm

柵極氧化物材料:Al2O3

Dirac點(diǎn):<5 V

良率 :>75%

石墨烯場效應(yīng)遷移率:>600cm2/V.S

應(yīng)用:石墨烯器件研究,化學(xué)傳感器,生物傳感器,生物電子學(xué),磁傳感器,光電探測器。

保存條件:常溫干燥避光,密封保存

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石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,GFET-S31

GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀,利用高K金屬柵極 (HKMG)工藝流程提供EOT = 20nm的頂柵極。允許單獨(dú)控制芯片內(nèi)每個(gè)石墨烯通道的電導(dǎo)。有3種石墨烯通道尺寸,可以研究尺寸對器件屬性的依賴性,從而實(shí)現(xiàn)即時(shí)優(yōu)化。


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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.6.

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。


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