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初級會(huì)員 | 第4年

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  • Bi晶體,拓?fù)浣^緣體

    Bi晶體,拓?fù)浣^緣體性質(zhì)分類:拓?fù)浣^緣體合成方法:CVT用途:僅用于科研,不能用于人體

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/8 10:27:27 對比
    Bi晶體拓?fù)浣^緣體
  • AgTaS3晶體,拓?fù)浣^緣體

    AgTaS3晶體,拓?fù)浣^緣體性質(zhì)分類:拓?fù)浣^緣體合成方法:CVT晶體結(jié)構(gòu):monoclinic剝離難易程度:易用途:僅用于科研,不能用于人體

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/8 10:02:52 對比
    AgTaS3晶體拓?fù)浣^緣體
  • Ag3Sb晶體,CVT,單斜晶系

    Ag3Sb晶體,CVT,單斜晶系A(chǔ)g3Sb晶體是拓?fù)浣^緣體。晶體按其結(jié)構(gòu)粒子和作用力的不同可分為四類:離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:39:29 對比
    Ag3Sb晶體單斜晶系CVT
  • 天然單晶石墨,Nature Graphite Crystal

    天然單晶石墨,Nature Graphite Crystal天然石墨是一種金屬。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,并且可以剝離成薄的 2D 層。天然晶體的典型...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:34:07 對比
    天然單晶石墨Nature Graphite CrystalCAS號(hào):7782-42-5
  • 碳化硅納米晶須,SiC Nanocrystals

    碳化硅納米晶須,SiC Nanocrystals碳化硅納米晶須可應(yīng)用于電子、信息、精密加工技術(shù)、軍工,航天航空、高溫耐火材料、特種陶瓷材料、高級磨削材料和增強(qiáng)增...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:30:53 對比
    碳化硅納米晶須SiC NanocrystalsSiCCAS號(hào):1568-80-5
  • 晶須碳納米管,Whisker carbon nanotubes

    晶須碳納米管,Whisker carbon nanotubes晶須碳納米管還具有電解液吸附能力,是動(dòng)力鋰離子電池正負(fù)極材料的重要添加劑。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:27:40 對比
    晶須碳納米管Whisker carbon nanotubesCAS號(hào):1333-86-4
  • 鈣鈦礦微晶,Cs2ZrxSnyCl6:Te

    鈣鈦礦微晶,Cs2ZrxSnyCl6:Te 鈣鈦礦微晶(Cs2ZrxSnyCl6:Te )又稱 Perovskite microcrystal,可用于顯示照明L...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:25:09 對比
    鈣鈦礦微晶Cs2ZrxSnyCl6:TePerovskite microcrystalCAS號(hào):13494-80-9
  • 碘化鉻單晶,CrI3 Single crystal

    碘化鉻單晶,CrI3 Single crystalCrI3極易與空氣、水等媒介發(fā)生反應(yīng),為大程度保持其原有特性,請盡量在使用過程中少接觸空氣與水。建議全程惰性氣...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:19:50 對比
    碘化鉻單晶CrI3 Single crystalCrI3
  • 錳磷硫單晶,MnPS3 Single crystal

    錳磷硫單晶,MnPS3 Single crystalMnPS3在78 K以下表現(xiàn)為反鐵磁性,插層化合物表現(xiàn)為弱鐵磁性,這可能是由于其具有傾斜的自旋結(jié)構(gòu)。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:17:45 對比
    錳磷硫單晶MnPS3 Single crystalMnPS3
  • 錳磷硒單晶,MnPSe3 Single crystal

    錳磷硒單晶,MnPSe3 Single crystal錳磷硒單晶(MnPSe3 Single crystal),是磁性半導(dǎo)體,可用于電子器件實(shí)驗(yàn),物理性能研究等...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:14:33 對比
    錳磷硒單晶MnPSe3 Single crystalMnPSe3
  • 鉻磷硫單晶,CrPS4 Single crystal

    鉻磷硫單晶,CrPS4 Single crystal具有整齊規(guī)則的幾何外形、固定熔點(diǎn)和各向異性的固態(tài)物質(zhì),是物質(zhì)存在的一種基本形式。固態(tài)物質(zhì)是否為晶體,一般可由...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:11:32 對比
    鉻磷硫單晶CrPS4 Single crystalCrPS4磁性半導(dǎo)體
  • 鎳磷硫單晶,NiPS3 Single crystal

    鎳磷硫單晶,NiPS3 Single crystal層狀過渡金屬三鹵化物NiPS3是一種范德華反鐵磁體,其存在強(qiáng)烈的電荷-自旋耦合。NiPS3在磁有序溫度下顯示...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:08:46 對比
    鎳磷硫單晶NiPS3 Single crystalNiPS3磁性半導(dǎo)體
  • 鈷磷硫單晶,CoPS3 Single crystal

    鈷磷硫單晶,CoPS3 Single crystal鈷磷硫單晶(CoPS3 Single crystal)是磁性半導(dǎo)體,可用于電子器件實(shí)驗(yàn),物理性能研究等。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/7 11:05:04 對比
    鈷磷硫單晶CoPS3 Single crystalCoPS3
  • 鐵磷硫單晶,F(xiàn)ePS3 Single crystal

    鐵磷硫單晶,F(xiàn)ePS3 Single crystalFePS3 (鐵磷硫)是具有單斜晶體結(jié)構(gòu)磁性半導(dǎo)體,材料的光禁帶為1-1.5eV。有研究采用FePS3作為全...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/6 13:51:53 對比
    鐵磷硫單晶FePS3 Single crystalFePS3磁性半導(dǎo)體
  • PEG化磁性錳鋅鐵氧體納米晶,cas1317-61-9

    PEG化磁性錳鋅鐵氧體納米晶,cas1317-61-9PEG化磁性錳鋅鐵氧體納米晶可用于生物分子偶聯(lián)、固定、納米探針構(gòu)建等。

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/6 13:46:49 對比
    PEG化磁性錳鋅鐵氧體納米晶cas1317-61-9amino terminalCarboxyl terminalmethoxyl group terminal
  • 錳鋅鐵氧體納米晶,cas1317-61-9

    錳鋅鐵氧體納米晶,cas1317-61-9磁性錳鋅鐵氧體納米結(jié)構(gòu)具有均一的尺寸、規(guī)則的形貌、高的磁性和交流磁熱效應(yīng)、良好的生物相容性、高的靶向性和體內(nèi)長循環(huán)能力...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/6 13:42:06 對比
    錳鋅鐵氧體納米晶Mn-Zn Ferrite Nanoparticlescas1317-61-9
  • 石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,GFET-S31

    石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31,GFET-S31GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀,利用高K金屬柵極 (HKMG)工藝流程提供E...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/6 11:48:57 對比
    石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31GFET-S31cas號(hào):7440-44-0
  • 石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S20,GFET S-20

    石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S20,GFET S-20GFET S-20 芯片專為液體介質(zhì)中的測量而設(shè)計(jì)。提供 12 個(gè)石墨烯器件,封裝在金屬焊盤上以避免退化并減少泄...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/6 11:48:24 對比
    石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S20GFET S-20cas號(hào):7440-44-0
  • 石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S10,GFET-S10

    石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S10,GFET-S10GFET-S10芯片提供36個(gè)石墨烯器件,以網(wǎng)格模式分布在芯片上。30 個(gè)器件具有霍爾棒幾何形狀,6個(gè)器件具有2探...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/6 11:46:15 對比
    石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S10GFET-S10cas號(hào):7440-44-0
  • 二硫化鉬晶體摻雜鈮元素,cas1317-33-5

    二硫化鉬晶體摻雜鈮元素,cas1317-33-5二硫化鉬(MoS2)晶體摻雜鈮(Nb)元素是一種常見的方法,用于改變MoS2的性質(zhì)和特性。摻雜是指在材料中引入其...

    型號(hào): 所在地:西安市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2023/12/6 11:38:52 對比
    二硫化鉬晶體摻雜鈮元素MoS2 Niobium-Dopedcas號(hào):1317-33-5MoS2

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