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單晶少子壽命測試儀

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參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號 XNC-LT2
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
在線詢價 收藏產(chǎn)品

更新時間:2022-02-14 19:40:16瀏覽次數(shù):273

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),石油,地礦,電子
可測單晶少子壽命范圍 5μS~7000μS
XNC-LT2型單晶少子壽命測試儀
是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等

詳細(xì)介紹

XNC-LT2單晶少子壽命測試儀

XNC-LT2單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

   本儀器根據(jù)國際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計,由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAspInP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。

技 術(shù) 指 標(biāo)

 測試單晶電阻率范圍  >2Ω.cm

 可測單晶少子壽命范圍       5μS7000μS

 配備光源類型       波長:1.09μm;余輝<1 μS;

 閃光頻率為:2030次/秒;

 閃光頻率為:2030次/秒;

 高頻振蕩源  用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz

 前置放大器  放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz

 儀器測量重復(fù)誤差       <±20

 測量方式       采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式

 儀器消耗功率       <25W

 儀器工作條件       溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz

 可測單晶尺寸       斷面豎測:φ25mm150mm L 2mm500mm;

 縱向臥測:φ25mm150mm L 50mm800mm;

 配用示波器  頻寬020MHz;

 電壓靈敏:10mVcm


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