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更新時(shí)間：2022-01-29 10:49:19瀏覽次數(shù)：191
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,石油,地礦,電子 |
|---|---|---|---|
| 測(cè)量重復(fù)性誤差 | 測(cè)量重復(fù)性誤差≤±20% |
XNC-LT1高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)定儀
是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，硅單晶壽命測(cè)量ρ≥2Ω•cm，由于對(duì)樣塊體形無(wú)嚴(yán)格要求，因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量
導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)定儀
是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)際組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)（F28-75）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553-1997設(shè)計(jì)制造。本設(shè)備采用高頻光電導(dǎo)衰減測(cè)量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，硅單晶壽命測(cè)量ρ≥2Ω•cm，由于對(duì)樣塊體形無(wú)嚴(yán)格要求，因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測(cè)量。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
XNC-LT1高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測(cè)定儀、技術(shù)參數(shù)
（1）壽命測(cè)試范圍：5~10000μs；電阻率測(cè)量范圍：ρ≥2Ω•cm
測(cè)電子級(jí)參雜硅單晶片（厚度小于1mm），電阻率范圍：ρ＞0.1Ω•cm（表面可能需要拋光處理）
測(cè)量重復(fù)性誤差≤±20%
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞20~30次/s，光脈沖關(guān)斷時(shí)間：0.2~1μs，余輝＜1μs
紅外光源波長(zhǎng)：1.06～1.09μm（測(cè)量硅單晶），紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深度大于500μm如測(cè)量鍺單晶壽命需另行配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源
脈沖電源：5A～20A
（3）高頻源
高頻振蕩源：石英諧振器；頻率：30MHz；低輸出阻抗，輸出功率＞1W
（4） 放大器和檢波器
放大倍數(shù)約25倍，頻寬：2Hz～2MHz
（5）儀器配置的光源電極臺(tái)既可測(cè)縱向放置的單晶，亦可測(cè)豎放單晶橫載面的壽命
可測(cè)單晶尺寸：
斷面豎測(cè)：直徑25～150，厚度2mm～500mm
縱向臥測(cè)：直徑5mm～150mm，長(zhǎng)度50mm～800mm
（6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命專(zhuān)用測(cè)試軟件系統(tǒng)或?qū)Ｓ脭?shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測(cè)試操作簡(jiǎn)單，點(diǎn)擊“測(cè)量"即可，自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測(cè)試點(diǎn)衰減波形到數(shù)據(jù)庫(kù)，可進(jìn)行查詢(xún)歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。
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