產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
真空吸盤(pán)可繞Z軸旋轉(zhuǎn),噴嘴可沿X、Y、Z移動(dòng),國(guó)產(chǎn)諧波減速機(jī)廠家CSF-25-160-2A-GR圍繞Z旋轉(zhuǎn)。噴嘴沿硅片徑向分滴光刻膠,這樣光刻膠就可以均勻噴涂在硅片表面上。光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。國(guó)產(chǎn)諧波減速機(jī)廠家CSF-25-160-2A-GR邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能中“背面EBR"裝置為邊緣光刻膠的去除裝置。
軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強(qiáng)光刻膠的粘附性、釋放旋轉(zhuǎn)涂膠產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進(jìn)行
一般來(lái)說(shuō),互連材料淀積在硅片表面,然后有選擇性地去除它,就形成了由光刻技術(shù)定義的電路圖形。這種有選擇性地去除材料的工藝過(guò)程,叫做刻蝕,在顯影檢查完后進(jìn)行,刻蝕工藝的正確進(jìn)行非常關(guān)鍵,否則芯片將不能工作。更重要的是,一旦材料被刻蝕去掉,在刻蝕過(guò)程中所犯的錯(cuò)誤將難以糾正??涛g的要求取決于要制作的特征圖形的類(lèi)型,如合金復(fù)合層、多晶硅柵、隔離硅槽或介質(zhì)通孔。
光刻包括兩種基本的工藝類(lèi)型:負(fù)性光刻和正性光刻。負(fù)性光刻把與掩模版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面。正性光刻把與掩模版上相同的圖形復(fù)制到硅片上。這兩種基本工藝的主要區(qū)別在于所用光刻膠的種類(lèi)不同。光刻工藝過(guò)程包括8個(gè)基本步驟:氣相成底模、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)和曝光、曝光后烘培、顯影、堅(jiān)膜烘培、顯影檢查。