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產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
哈默納科電機(jī)CSG-32-160-GH-F0KAB
光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能中“背面EBR”裝置為邊緣光刻膠的去除裝置。
軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強(qiáng)光刻膠的粘附性、釋放旋轉(zhuǎn)涂膠產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進(jìn)行
真空吸盤可繞Z軸旋轉(zhuǎn)，噴嘴可沿X、Y、Z移動，圍繞Z旋轉(zhuǎn)。噴嘴沿硅片徑向分滴光刻膠，這樣光刻膠就可以均勻噴涂在硅片表面上。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得而且容易發(fā)生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除。“背面EBR”裝置為邊緣光刻膠的去除裝置。
哈默納科電機(jī)CSG-32-160-GH-F0KAB光刻膠最基本的組成是有機(jī)溶劑中的一種聚合物溶液。光刻膠的物理特性包括分辨率、對比度、對敏感度、對粘滯性、粘附性、抗蝕性、表面張力、存儲與傳送特性、玷污和顆?？刂频?。光刻膠主要有兩個(gè)作用：將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，在后續(xù)工藝中保護(hù)下面的材料。光刻膠適合于旋轉(zhuǎn)涂膠的，硅片會持續(xù)旋轉(zhuǎn)涂膠直到硅片表面形了成一層薄膜。光刻膠涂覆方法的四個(gè)基本步驟分別為滴膠、旋轉(zhuǎn)鋪開、旋轉(zhuǎn)甩掉多余膠、溶劑揮發(fā)。
硅片上光刻膠涂膠的厚度和均勻性是非常關(guān)鍵的質(zhì)量參數(shù)。光刻膠涂覆過程中主要技術(shù)參數(shù)為：滴膠量，約1~3CC；成膜厚度約1微米左右，厚度變化20-50?。硅片吸附在真空吸盤上，