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更新時(shí)間:2022-01-20 17:02:36瀏覽次數(shù):945次
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貨號(hào) | BFNC86059 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,生物產(chǎn)業(yè) |
主要用途 | 僅用于科研 |
EGY48感受態(tài)細(xì)胞
產(chǎn)品規(guī)格CAT#: BFNC86059-01(10×100ul)/BFNC86059-02(50×100ul)
EGY48 Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3個(gè)月)
pGBKT7 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12個(gè)月)
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12個(gè)月)
PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12個(gè)月)
基因型
MATα, ura3, his3, trp1, LexAop (x6)-LEU2
EGY48感受態(tài)細(xì)胞
產(chǎn)品說(shuō)明
EGY48菌株是Clontech公司開(kāi)發(fā)的LexA系統(tǒng)酵母雙雜實(shí)驗(yàn)用菌株,MATα型,可直接轉(zhuǎn)化質(zhì)粒進(jìn)行蛋白互作驗(yàn)證或篩庫(kù)試驗(yàn);Transformation marker為:his3,trp1,ura3,報(bào)告基因?yàn)椋?/span>LEU2;報(bào)告基因UAS (上游激活序列)來(lái)源于LexA op(x6),只有當(dāng) Bait和 Prey互作時(shí)才能啟動(dòng) LEU2表達(dá)。EGY48-LexA酵母雙雜系統(tǒng)系統(tǒng)需要三種質(zhì)粒配套使用:pLexA、pB42AD、p8op-LacZ。質(zhì)粒pLexA的篩選標(biāo)志為HIS3,用于表達(dá)DNA-BD(來(lái)自原核的202個(gè)氨基酸殘基組成的LexA蛋白)與目標(biāo)蛋白 (Bait)的融合蛋白;質(zhì)粒pB42AD的篩選標(biāo)志為T(mén)RP1,用于表達(dá)AD(來(lái)自皰疹病毒的88個(gè)氨基酸殘基組成的B42AD蛋白)與目標(biāo)蛋白 (Prey)的融合蛋白;報(bào)告質(zhì)粒p8op-LacZ的篩選標(biāo)志為URA3,報(bào)告基因?yàn)?/span>LacZ,報(bào)告基因UAS來(lái)源于LexA op(x6),只有當(dāng) Bait和 Prey互作時(shí)才能啟動(dòng) LacZ表達(dá)。
青旗生物生產(chǎn)的EGY48感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個(gè)月,pGBKT7質(zhì)粒檢測(cè)轉(zhuǎn)化效率>104 cfu/μg DNA。
操作方法
1. 取100 μl冰上融化的EGY48感受態(tài)細(xì)胞,依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒2-5ug,Carrier DNA(95-100度5min,快速冰浴,重復(fù)一次)10 ul ,PEG/LiAc 500ul并吸打幾次混勻,30度水浴30 分鐘(15 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
2. 將管放42度水浴15min (7.5 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
3. 5000 rpm 離心 40s 棄上清,ddH2O 400ul 重懸,離心 30s 棄上清。
4. ddH2O 50ul重懸,涂板,29℃培養(yǎng)48-96h。
注意事項(xiàng)
1. 感受態(tài)細(xì)胞盡量在冰上融化。
2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)??上鄳?yīng)減少終用于涂板的菌量。
3. 同時(shí)轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時(shí)可增加質(zhì)粒的用量。
4. EGY48酵母菌株對(duì)高溫敏感,適生長(zhǎng)溫度為27-30℃;高于31℃,生長(zhǎng)速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。
5. 菌落變粉不是污染,是酵母細(xì)胞生長(zhǎng)中一個(gè)常見(jiàn)現(xiàn)象。當(dāng)細(xì)胞在平板培養(yǎng)幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過(guò)自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細(xì)胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。
6. 酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長(zhǎng)速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長(zhǎng)越慢,以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1 mm克?。煌縎D單缺平板29℃,48-60 h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90 h培養(yǎng)可見(jiàn)直徑1 mm克隆。
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