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青島華能遠(yuǎn)見(jiàn)電氣有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第5年

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三相大電流試驗(yàn)裝置生產(chǎn)廠家

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地青島市

更新時(shí)間:2024-07-20 07:57:21瀏覽次數(shù):683次

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三相大電流試驗(yàn)裝置生產(chǎn)廠家功能簡(jiǎn)介適用于電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開(kāi)關(guān),電纜、電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。

 

1、HNDL系列大電流發(fā)生器三相大電流試驗(yàn)裝置生產(chǎn)廠家
<strong><strong>三相大電流試驗(yàn)裝置生產(chǎn)廠家</strong></strong>    

大電流試驗(yàn)設(shè)備按照使用一般分為以下幾種:

1、單相大電流發(fā)生器

2、三相大電流發(fā)生器

3、智能型全自動(dòng)大電流發(fā)生器

4、溫升大電流發(fā)生器  溫升試驗(yàn)設(shè)備  JP柜溫升試驗(yàn)裝置

5、直流大電流發(fā)生器

6、熔斷器大電流試驗(yàn)裝置
 充電準(zhǔn)備就緒測(cè)試:檢查供電設(shè)備是否能檢測(cè)到車輛準(zhǔn)備就緒并啟動(dòng)充電。啟動(dòng)及充電階段測(cè)試:在充電過(guò)程中,檢查供電設(shè)備是否能通過(guò)PWM信號(hào)占空比告知其可供電能力。正常充電結(jié)束測(cè)試:檢查供電設(shè)備在收到車輛停止充電指令時(shí)充電結(jié)束過(guò)程是否正常。充電連接控制時(shí)序測(cè)試本測(cè)試的目的是檢查供電設(shè)備充電連接控制狀態(tài)跳轉(zhuǎn)和時(shí)間間隔是否滿足要求。狀態(tài)轉(zhuǎn)換示意圖如下圖所示,充電時(shí)供電設(shè)備充電連接時(shí)序應(yīng)滿足GB/T18487.1-2015中A.4和A.5規(guī)定的要求。

1)基本型 可采用串并聯(lián)主要電力系統(tǒng)的一次母線保護(hù)電流互感器變比等試驗(yàn),也可以對(duì)電流繼電器及開(kāi)關(guān)行程時(shí)間、過(guò)流速斷、傳動(dòng)等試驗(yàn)進(jìn)行整定。

2)集成型 集電流,時(shí)間,變比,極性于一體 為供電局,電廠現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。

3)瞬沖型  無(wú)需預(yù)調(diào)。(熔斷器測(cè)試儀)電流直接輸出額定值。對(duì)負(fù)載自適應(yīng)。用于熔斷器測(cè)試。

4)溫升型  用于開(kāi)關(guān)柜,母線槽等電器的溫升試驗(yàn) 在精密測(cè)試測(cè)量行業(yè),測(cè)量準(zhǔn)確度(精度)是儀器本身的靈魂,是儀器重要的指標(biāo)之一,但不同的儀器其準(zhǔn)確度有不同的表達(dá)方式,因此只有理解了儀器的精度指標(biāo)后才能更好地指導(dǎo)我們進(jìn)行測(cè)量。在測(cè)試測(cè)量過(guò)程中,受測(cè)量?jī)x器硬件本身、測(cè)量條件或測(cè)量方法的影響,測(cè)量得到的結(jié)果(測(cè)量值)與真實(shí)值之間有一定的差異,這個(gè)差異就是測(cè)量誤差,測(cè)量誤差可能包含與測(cè)量值成比例的誤差,也可能包含與測(cè)量值無(wú)關(guān)的固定誤差。

功能特點(diǎn):

1 采用進(jìn)口0.23鐵芯,電效率高鐵心無(wú)氣隙,疊裝系數(shù)可高達(dá)95%以上,鐵心磁導(dǎo)率可取1.5~1.8T(疊片式鐵心只能取1.2~1.4T),電效率高達(dá)95%以上,空載電流只有疊片式的10%。

2  采用環(huán)形設(shè)計(jì)。體積小重量輕,環(huán)形變壓器比疊片式變壓器重量可以減輕一半.

 3 磁干擾較小環(huán)形變壓器鐵心沒(méi)有氣隙,繞組均勻地繞在環(huán)形的鐵心上,這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了漏磁小,電磁輻射也小,無(wú)需另加屏蔽都可以用到高靈敏度高準(zhǔn)度的電子設(shè)備上采用  但由于-85至-115dBm的范圍高于背景噪聲水平,GPS信號(hào)對(duì)于GPS接收器始終可見(jiàn),因此測(cè)得的C/NOdBHz水平對(duì)于滑塊衰減幾乎沒(méi)有關(guān)聯(lián)性。降低LabSatRF水平就會(huì)發(fā)現(xiàn)C/NO存在一定程度的下降,但并非線性下降。為L(zhǎng)abSat添加40dB外部衰減,會(huì)將RF功率降至大約-125dBm至-155dBm的范圍。該范圍與GPS天線在戶外接受的RF水平一致,并低于背景噪聲水平。以此方式降低信號(hào)后,就可對(duì)C/NO實(shí)現(xiàn)更充分的線性控制。

4  采用0.2級(jí)數(shù)字式真有效值電流表顯示,準(zhǔn)度高。而且無(wú)需外附標(biāo)準(zhǔn)CT及其他附件,簡(jiǎn)潔直觀。  

5 采用0.2S級(jí)高準(zhǔn)度電流互感器,保證電流信號(hào)的線性度和高準(zhǔn)度輸出.

6 內(nèi)置高準(zhǔn)度毫秒計(jì)。滿足時(shí)間高準(zhǔn)度測(cè)試的需要。           

雙串口高速透明傳輸不丟幀WM622擁有兩路全透明傳輸串口,用戶可將自己產(chǎn)品的串口資源快速拓展成無(wú)線連接,相當(dāng)于建立了一段無(wú)形的串行傳輸線,串口速率可高達(dá)1Mbps。透明傳輸?shù)膬?yōu)勢(shì)在于,用戶可以在這基礎(chǔ)上,創(chuàng)建自己需要的協(xié)議格式,使用戶不局限于固定使用第三方協(xié)議。*的通信距離和穿墻能力模塊針對(duì)復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境設(shè)計(jì),天線的匹配設(shè)計(jì)均經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試驗(yàn)證,信號(hào)質(zhì)量得到的優(yōu)化,有效加強(qiáng)信號(hào)的強(qiáng)度及穿透力,多重保障讓聯(lián)網(wǎng)設(shè)備信號(hào)無(wú)阻,體驗(yàn)信號(hào)滿格。技術(shù)參數(shù):                        

輸入電源:AC 220V /380V  50HZ             

電流輸出:0- 1000A        準(zhǔn)度:0.5或0.2  分辨率:0.01A

電流輸出:1000- 5000A     準(zhǔn)度:0.5或0.2  分辨率:0.1A

電流輸出:5000- 10000A    準(zhǔn)度:0.5 或0.2 分辨率:1A

電流輸出:10000-50000A    準(zhǔn)度:0.5 或0.2 分辨率:1A

輸出端開(kāi)口電壓:≥6V

時(shí)間測(cè)試:0.001S-9999.999S  分辨率:0.001S


三相大電流試驗(yàn)裝置生產(chǎn)廠家傳統(tǒng)上,示波器的頻率響應(yīng)是高斯型的,從它的BNC輸入端至CRT顯示,有很多模擬放大器構(gòu)成一個(gè)放大器鏈。但當(dāng)代高性能數(shù)字示波器普遍采用平坦頻率響應(yīng)。數(shù)字示波器中和高斯頻響有關(guān)的只是很少的幾個(gè)模擬放大器,并可用DSP技術(shù)優(yōu)化其對(duì)精度的影響。對(duì)于數(shù)字示波器來(lái)說(shuō),要盡量避免采樣混疊誤差,而模擬示波器不存在這種問(wèn)題。與高斯頻響相比,平坦型頻率響應(yīng)能減少采樣混疊誤差。本文回顧高斯響應(yīng)和平坦響應(yīng)的特性,然后討論這兩種響應(yīng)類型所對(duì)應(yīng)的上升時(shí)間測(cè)量精度,從而說(shuō)明具有平坦頻率響應(yīng)的示波器與具有同樣帶寬的高斯響應(yīng)示波器相比,有更高的上升時(shí)間測(cè)量精度。LED研發(fā)一LED光源半導(dǎo)體芯片發(fā)熱利用熱像儀,工程師可以根據(jù)得到的光源半導(dǎo)體芯片發(fā)熱紅外熱圖,分析出其芯片在工作時(shí)的溫度,以及溫度的分布情況,在此基礎(chǔ),達(dá)到提高LED產(chǎn)品壽命的目的。二LED模塊驅(qū)動(dòng)電路在LED產(chǎn)品研發(fā)中,需要工程師進(jìn)行一部分驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),整流器電路模塊。利用紅外熱像儀,工程師可以迅速而便捷地發(fā)現(xiàn)電路上溫度異常之處,便于完善電路設(shè)計(jì)。三光衰試驗(yàn)LED產(chǎn)品的光衰就是光在傳輸中的信號(hào)減弱,而現(xiàn)階段的LED大廠們做出的LED產(chǎn)品光衰程度都不相同,大功率LED同樣存在光衰,這和溫度有著直接的關(guān)系,主要是由晶片、熒光粉和封裝技術(shù)決定的。

 

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