近年來(lái)，面對(duì)持續(xù)高漲的芯片需求，半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)迎來(lái)了高難度挑戰(zhàn)——對(duì)芯片工藝要求更精細(xì)，從5nm到3nm，甚至是2nm?！跋冗M(jìn)封裝"的提出，是對(duì)技術(shù)的新要求，也是對(duì)封裝工藝中材料和設(shè)備的全新考驗(yàn)。

芯片身上布控著幾千萬(wàn)根晶體管，而晶體管越小，可放置的晶體管越多，性能也將越高。芯片的進(jìn)化就是晶體管變小的過(guò)程。晶體管密度更大、占用空間更少、性能更高、功率更低，但挑戰(zhàn)也越來(lái)越難以克服。小尺寸下，芯片物理瓶頸越來(lái)越難以克服。尤其在近幾年，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)走向10nm、7nm、5nm......白光3D輪廓測(cè)量?jī)x適配芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)，致力于滿(mǎn)足時(shí)下半導(dǎo)體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測(cè)量需求，助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。

W1白光3D輪廓測(cè)量?jī)xX/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為140*100mm，滿(mǎn)足晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動(dòng)化檢測(cè)、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺(tái)階高、彈坑等微納米級(jí)別精度的測(cè)量。

臺(tái)階高精確度：0.3%

臺(tái)階高重復(fù)性：0.08 % 1σ

縱向分辨率：0.1nm

RMS重復(fù)性：0.005nm

橫向分辨率（0.5λ/NA）：0.5um~3.7um

特點(diǎn)：粗糙度測(cè)量、彈坑測(cè)量、測(cè)量尺寸6英寸以下。

W3白光3D輪廓測(cè)量?jī)xX/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為300*300mm，超大規(guī)格平面、兼容型12英寸真空吸附盤(pán)能檢測(cè)12寸及以下尺寸的Wafer；氣浮隔振設(shè)計(jì)&吸音材質(zhì)隔離設(shè)計(jì)，確保儀器在千級(jí)車(chē)間能有效濾除地面和聲波的振動(dòng)干擾，穩(wěn)定工作；自動(dòng)化測(cè)量半導(dǎo)體晶圓。

半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)ｍ?xiàng)功能

1.同步支持6、8、12英寸三種規(guī)格的晶圓片測(cè)量，一鍵即可實(shí)現(xiàn)三種規(guī)格的真空吸盤(pán)的自動(dòng)切換以配適不同尺寸晶圓；

2.具備研磨供以后減薄片的粗糙度自動(dòng)測(cè)量功能，一鍵可測(cè)量數(shù)十個(gè)小區(qū)域的粗糙度求取均值；

3.具備劃片工藝中激光鐳射開(kāi)槽后的槽道深寬輪廓數(shù)據(jù)測(cè)量功能，可以一鍵實(shí)現(xiàn)槽道深寬相關(guān)的面和多條剖面線(xiàn)的數(shù)據(jù)測(cè)量與分析；

4.具備晶圓制造工藝中鍍膜臺(tái)階高度的測(cè)量，覆蓋從1nm~1mm的測(cè)量范圍，實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量。

W3白光3D輪廓測(cè)量?jī)x測(cè)量12英寸硅晶圓