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聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀

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參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) GDAT-A
  • 品牌 北廣精儀
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
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更新時(shí)間:2024/07/16 14:51:14瀏覽次數(shù):853

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產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 1萬(wàn)-2萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合
聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要測(cè)試材料:
1 絕緣導(dǎo)熱硅膠,石英晶玻璃,陶瓷片,薄膜,OCA光學(xué)膠,環(huán)氧樹(shù)脂材料,塑料材料,FR4 PCB板材, PA尼龍/滌綸,PE聚乙烯,PTFE聚四氟乙烯,PS聚苯乙烯,PC聚碳酸旨,PVC,PMMA等

詳細(xì)介紹

聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀

156931149939218.png

信號(hào)源范圍DDS數(shù)字合成信號(hào)

10KHZ-70MHz

10KHZ-110MHz

100KHZ-160MHz

信號(hào)源頻率覆蓋比

7000:1

11000:1

16000:1

信號(hào)源頻率精度 6位有效數(shù)

3×10-5 ±1個(gè)字  

3×10-5 ±1個(gè)字   

3×10-5 ±1個(gè)字   

采樣精度

11BIT

11BIT

12BIT

高精度的AD采樣,了Q值的穩(wěn)定性,以及低介質(zhì)損耗材料測(cè)試時(shí)候的穩(wěn)定性

Q測(cè)量范圍

1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程

1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程

1-1000自動(dòng)/手動(dòng)量程

Q分辨率

4位有效數(shù),分辨率0.1

4位有效數(shù),分辨率0.1

4位有效數(shù),分辨率0.1

Q測(cè)量工作誤差

<5%

<5%

<5%

電感測(cè)量范圍 4位有效數(shù),分辨率0.1nH

1nH-8.4H ,分辨率0.1nH

1nH-8.4H 分辨率0.1nH

1nH-140mH分辨率0.1nH

電感測(cè)量誤差

<3%

<3%

<3%

調(diào)諧電容

主電容30-540pF

主電容30-540pF

主電容17-240pF

電容直接測(cè)量范圍

1pF~2.5uF

1pF~2.5uF

1pF~25nF

調(diào)諧電容誤差

分辨率

±1pF或<1%

0.1pF

±1pF或<1%

0.1pF

±1pF或<1%

0.1pF

諧振點(diǎn)搜索

自動(dòng)掃描

自動(dòng)掃描

自動(dòng)掃描

Q合格預(yù)置范圍 

5-1000聲光提示

5-1000聲光提示

5-1000聲光提示

Q量程切換

自動(dòng)/手動(dòng)

自動(dòng)/手動(dòng)

自動(dòng)/手動(dòng)

LCD顯示參數(shù)

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

F,L,C,Q,Lt,Ct波段等

自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能()

大電容值直接測(cè)量顯示功能()

測(cè)量值可達(dá)2.5uF

測(cè)量值可達(dá)2.5uF

測(cè)量值可達(dá)25nF

介質(zhì)損耗系數(shù)

精度 萬(wàn)分之三

精度 萬(wàn)分之三

精度 萬(wàn)分之一

介損系數(shù)

萬(wàn)分之一

萬(wàn)分之一

萬(wàn)分之一

介電常數(shù)

精度 千分之一

精度 千分之一

精度 千分之一

材料測(cè)試厚度

0.1mm-10mm

0.1mm-10mm

0.1mm-10mm

聚酯薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀由S916測(cè)試裝置(夾具)、QBG-3E/QBG-3F/AS2853A型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件(裝入QBG-3E/QBG-3F或AS2853A的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標(biāo)ASTM D150以及國(guó)際電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量的解決方案。本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。使用QBG-3E或AS2853A數(shù)字Q表具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗(tanδ)。

定義:

  這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見(jiàn)術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。

  本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語(yǔ)定義:

  電容,C,名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí),導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。

  討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位,電位采用伏特為單位時(shí),電容單位為法拉,即:

  C=q/V (1)

  耗散因子(D),(損耗角正切),(tanδ),名詞——是指損耗指數(shù)(K'')與相對(duì)電容率(K')之間的比值,它還等于其損耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值。

  D=K''/K' (2)

  3.2.2.1 討論——a:

  D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

  式中:

  G=等效交流電導(dǎo),

  Xp=并聯(lián)電抗,

  Rp=等效交流并聯(lián)電阻,

  Cp=并聯(lián)電容,

  ω=2πf(假設(shè)為正弦波形狀)

  耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q,有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型,電容器耗散因子D都是相同的,按如下表示為:

  D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

  串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求:

  Cp=Cs/(1 D2) (5)

  Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)

介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表.png


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