日本napson手持式探針無損渦流法電阻測(cè)量?jī)xEC-80P

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 只需觸摸手持式探頭即可測(cè)量電阻。

• 在電阻/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換

• 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件

• 連接到連接器的可更換電阻測(cè)量探頭可支持多種電阻

• （電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)材料（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

無論樣品的大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且具有平坦的表面）?

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
（*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[ 抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）

 日本napson手持式探針無損渦流法電阻測(cè)量?jī)xEC-80P

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）