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日本napson電阻測量技術(shù)和原理
閱讀：167 發(fā)布時間：2020-11-16| 提 供 商 | 秋山科技（東莞）有限公司 | 資料大小 | 49.4KB |
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日本napson電阻測量原理
電阻測量的三個基本知識
- 電阻測量的定義
- 觸點類型：4種探頭法測量
- 非接觸型：渦流法測量
電阻測量的定義
通常，電阻（電阻）用于評估物質(zhì)或材料的電導(dǎo)率（導(dǎo)電性）。我認(rèn)為以下Ω（Ohm）是電阻的評估標(biāo)準(zhǔn)（許多人在“歐姆定律”中都記得它）。
電阻_（電阻）=Ω[讀數(shù)：歐姆]
⇒表示電流難易度的單位
R = V / I * V =電壓，I =電流
由數(shù)字萬用表（絕緣電阻表）測量的絕緣電阻也通常以Ω單位表示。
電阻單位還根據(jù)物質(zhì)或材料的形狀而適當(dāng)?shù)厥褂?，并且根?jù)測量目標(biāo)而主要使用，因為存在針對每個行業(yè)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（例如，JIS）的電阻單位。關(guān)于電阻的表示法是不同的。
除了電阻[Ω]，我們的電阻測量系統(tǒng)還支持以下兩種類型的電阻測量單位：電阻[Ωcm]和薄層電阻[Ω/□]。
電阻=Ωcm[讀數(shù)：歐姆厘米]
*也稱為比電阻。
⇒物質(zhì)的“體積電阻值”
它主要用于表示較厚物體的電阻，例如硅片，大塊以及導(dǎo)電橡膠和塑料。
電阻：R的值由以下等式表示，其中ρ是電阻，L是導(dǎo)體的長度，A是導(dǎo)體的截面積。
R =ρ×[L / A]
因此，電阻值ρ由下式表示。
ρ= V / I×[A / L]
*當(dāng)單位為Ωcm時，該值為1 cm x 1 cm x 1 cm的體積。根據(jù)測量目標(biāo)的不同，它可能以Ωm（歐姆表）表示。
薄層電阻=Ω/□[讀數(shù)：歐姆/平方]
*也稱為比電阻。
⇒物質(zhì)的“表面電阻值”
它主要用于表示片狀材料（例如薄膜和膜狀材料）的電阻。
觸點類型：4種探頭法測量
在這里，我們將介紹接觸式電阻測量原理的概述（4探針法）（該原理的詳細(xì)說明在材料中）。
（*對于我們的產(chǎn)品，還有一個系統(tǒng)會根據(jù)電阻范圍使用不同的測量方法。）
四探針法主要用于接觸式情況，可以測量1E-3（1m）到1E + 9（1G）Ω/□電阻范圍。
這種測量方法是在廣泛領(lǐng)域中測量電阻的基礎(chǔ)。
●在四探針法中，將按照以下步驟進(jìn)行測量。
（1）將四個針狀電極直線地放在測量樣品上。
（2）兩個外部探頭之間流過恒定電流。
（3）通過測量兩個內(nèi)部探針之間的電位差來計算電阻。
非接觸型：渦流法測量
在這里，我們將介紹非接觸式（渦流法）電阻測量原理的概況（該原理的詳細(xì)說明在材料中）。
（*在我們的產(chǎn)品中，根據(jù)電阻范圍，還有另一種非接觸式電阻測量方法系統(tǒng)。請單擊此處。請參考。此外，關(guān)于非接觸式測量原理，除了渦流方法外，但很抱歉給您帶來麻煩請聯(lián)系我們）
渦流法主要用于非接觸式，可測量1E-3（1m）至1E + 4（10k）Ω/□電阻范圍。
它可用于半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體，液晶和新型碳基材料等廣泛領(lǐng)域的測量。
渦電流測量系統(tǒng)使用電磁感應(yīng)產(chǎn)生的渦電流來測量電阻。
非接觸式測量探頭單元的探頭芯（磁性材料）在兩側(cè)（上下）以一定的間隙排列。
●在渦流法中，按照以下步驟進(jìn)行測量。
（1）當(dāng)在探針芯之間施加高頻以產(chǎn)生磁通量并且插入樣本時，樣本中產(chǎn)生渦流。
（2）此時，（1）渦電流流過樣品→（2）樣品中消耗了電流，發(fā)生了功率損耗。
→③電路中的電流成比例降低。檢測該減小的電流值。
（3）由于檢測到的電流值與樣品的電阻成反比關(guān)系，請使用此值。
座椅電阻或電阻是從電流值和座椅電阻的校準(zhǔn)曲線（計算公式）得出的。
?。?計算電阻時需要樣品厚度信息）