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產(chǎn)品型號(hào)SC-E8-C
品 牌其他品牌
廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地溫州市
更新時(shí)間:2023-10-17 10:17:46瀏覽次數(shù):238次
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富士可逆性交流接觸器常采用雙斷口電動(dòng)滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動(dòng)、靜觸頭在分、合過(guò)程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、底座及接線(xiàn)柱等輔助部件。
交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,實(shí)現(xiàn)觸頭的接通和分?jǐn)嗟?。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動(dòng)作狀態(tài))。當(dāng)吸引線(xiàn)圈通電后,使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力,銜鐵被吸合,與銜鐵相連的連桿帶動(dòng)觸頭動(dòng)作,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當(dāng)吸引線(xiàn)圈斷電時(shí),電磁吸力消失,銜鐵在復(fù)開(kāi),使常開(kāi)觸頭閉合,位彈簧作用下釋放,所有觸頭隨之復(fù)位,接觸器處于失電狀態(tài)。
永磁交流接觸器是利用磁極的同性相斥、異性相吸的原理,用永磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)取代傳統(tǒng)的電磁鐵驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而形成的一種微功耗接觸器。國(guó)內(nèi)成熟的產(chǎn)品型號(hào):CJ20J、NSFC1、NSFC2、NSFC3、NSFC4、NSFC5、NSFC12、NSFC19、CJ40J、NSFMR。
安裝在接觸器聯(lián)動(dòng)機(jī)構(gòu)上極性固定不變的永磁鐵,與固化在接觸器底座上的可變極性軟磁鐵相互作用,從而達(dá)到吸合、保持與釋放的目的。軟磁鐵的可變極性是通過(guò)與其固化在一起的電子模塊產(chǎn)生十幾到二十幾毫秒的正反向脈沖電流,而使其產(chǎn)生不同的極性。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)需要,用控制電子模塊來(lái)控制設(shè)定的釋放電壓值,也可延遲一段時(shí)間再發(fā)出反向脈沖電流,以達(dá)到低電壓延時(shí)釋放或斷電延時(shí)釋放的目的,使其控制的電機(jī)免受電網(wǎng)晃電而跳停,從而保持生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定。
富士接觸器如下:
SC-E02RM-C
SC-E03RM-C
SC-E04RM-C
SC-E05RM-C
SC-E1RM-C
SC-E2RM-C
SC-E2SRM-C
SC-E3RM-C
SC-E4RM-C
SC-E5RM-C
SC-E6RM-C
SC-E7RM-C
SC-E8RM-C
絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性,應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。
1947年12月,美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。晶體管的問(wèn)世,是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明,是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后,人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件,來(lái)代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來(lái)集成電路的降生吹響了號(hào)角。
20世紀(jì)初的10年,通信系統(tǒng)已開(kāi)始應(yīng)用半導(dǎo)體材料。20世紀(jì)上半葉,在無(wú)線(xiàn)電愛(ài)好者中廣泛流行的礦石收音機(jī),就采用礦石這種半導(dǎo)體材料進(jìn)行檢波。半導(dǎo)體的電學(xué)特性也在電話(huà)系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。
晶體管的發(fā)明,早可以追溯到1929年,當(dāng)時(shí)工程師利蓮費(fèi)爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的專(zhuān)。但是,限于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平,制造這種器件的材料達(dá)不到足夠的純度,而使這種晶體管無(wú)法制造出來(lái)。
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