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詳細(xì)摘要：Nolay-4000D礦用粉塵中游離二氧化硅檢測儀
以往檢測粉塵中的游離二氧化硅含量,均采用GB 5748 - 1985規(guī)定的“焦磷酸重量法"[ 1 ] ,但該方法操作繁瑣、檢測周期長、準(zhǔn)確性差,難以滿足批量檢測的要求。
我公司專業(yè)提供工作環(huán)境中粉塵及煤礦粉塵測定配

詳細(xì)摘要：LY-1型 CCD楊氏模量測量儀采用顯微鏡和CCD成像系統(tǒng)。與一般采用目測讀數(shù)的產(chǎn)品相比，實驗現(xiàn)象更易觀察、讀數(shù)更精確。
實驗內(nèi)容：
1、測量楊氏模量
儀器特點：顯示器觀察、結(jié)構(gòu)緊湊、調(diào)節(jié)使用方便

詳細(xì)摘要：LY-2楊氏模量測量儀
儀器特點：
通過讀數(shù)顯微鏡直接讀取數(shù)據(jù)
實驗內(nèi)容：
1、楊氏模量測量相對不確定度：＜5%

詳細(xì)摘要：RG-5500J紫外可見近紅外分光光度計是一款高性能紫外可見近紅外分光光度計，檢測波長范圍為200-2800nm（100mm積分球款）主要應(yīng)?于固體、薄膜材料、化學(xué)液體材料以及粉末樣品，測量模式有透射、反射、漫反射。積分球采?PTFE涂層?稱聚四氟?烯，它的漫反射特

詳細(xì)摘要：RG-5500T紫外可見近紅外分光光度計是一款高性能紫外可見近紅外分光光度計，超寬光譜范圍最長可至3400nm。主要應(yīng)?于固體、薄膜材料、化學(xué)液體材料，玻璃樣品等測量。測量模式有透射、鏡面反射（配鏡面反射附件）。

詳細(xì)摘要：ST-21L型方塊電阻測試儀
采用大規(guī)模集成電路作為儀器的主要部分，測量準(zhǔn)確穩(wěn)定，低功耗；
以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；
采用單個電池供電，帶電池欠壓指示；
體積≤175mm X90mm X42mm，重量≤300g；
特制之手握式探筆，球形探針

詳細(xì)摘要：RTS-3型手持式四探針測試儀
測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計；
體積僅為：185mm（長）*90mm（寬）*30mm（高）； 重量：350g；
使用鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時；

詳細(xì)摘要：ST-21H型方塊電阻測試儀是一種依照類似的國家標(biāo)準(zhǔn)和美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)，專門測量半導(dǎo)體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜（ITO透明氧化膜），金屬薄膜……等同類物質(zhì)的薄層電阻。

詳細(xì)摘要：ST-21型方塊電阻測試儀以大規(guī)模集成電路為主要核心；用基準(zhǔn)電源和運算放大器組成高精度穩(wěn)流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數(shù)，使儀器具有體積小、重量輕、外形美、易操作、測量速度快、精度高的特點。

詳細(xì)摘要：RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

詳細(xì)摘要：RTS-11型金屬四探針測試儀
專用于測試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻
測量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；
是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備，該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M

詳細(xì)摘要：RTS-5型雙電測四探針測試儀測試程序控制四探針測試儀進(jìn)行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出

詳細(xì)摘要：RTS-9型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙電測組合（亦稱雙位組合）測量新技術(shù),將范德堡測量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機控制下進(jìn)行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測

詳細(xì)摘要：RTS-4四探針測試儀儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。按照單晶硅物

詳細(xì)摘要：RTS-8型四探針電阻率測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，專用于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的專用儀器。
儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機

詳細(xì)摘要：PN-12型導(dǎo)電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導(dǎo)電類型。
可判斷硅材料的電阻率范圍
溫差法：10-4Ω·Cm～105Ω&#

詳細(xì)摘要：LT-2型單晶少子壽命測試儀
是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶

詳細(xì)摘要：PN-30型導(dǎo)電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導(dǎo)電類型。
該儀器特別采用工控指示開關(guān)，顯示清晰、經(jīng)久耐用；可隨機調(diào)零；自動加熱

詳細(xì)摘要：CV-2000型電容電壓特性測試儀
作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。

詳細(xì)摘要：CV-5000型電容電壓特性測試儀
在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段，通過C-V測試達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn)過程中的工藝參數(shù)，提高IC成品率。