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四探針測試儀

許多器件的重要參數(shù)和薄層電阻有關，在半導體工藝飛速發(fā)展的今天，微區(qū)的薄層電阻均勻性和電特性受到了人們的廣泛關注。隨著集成電路研究的快速發(fā)展，新品種不斷開發(fā)出來，并對開發(fā)周期、產(chǎn)品性能（包括IC的規(guī)模、速度、功能復雜性、管腳數(shù)等）的要求也越來越高。因此不僅需要完善的設計模擬工具和穩(wěn)定的工藝制備能力，還需要可靠的測試手段，對器件性能做出準確無誤的判斷，這在研制初期尤其重要。四探針法在半導體測量技術中已得到了廣泛的應用，尤其近年來隨著微電子技術的加速發(fā)展，四探針測試技術已經(jīng)成為半導體生產(chǎn)工藝中應用廣泛的工藝監(jiān)控手段之一。本文在分析四探針技術幾種典型測試原理的基礎上，重點討論了改進Rymaszewski法的應用，研制出一種新型測試儀器，并對實際樣品進行了測試。

四探針測試技術綜述 
四探針測試技術方法分為直線四探針法和方形四探針法。方形四探針法又分為豎直四探針法和斜置四探針法。方形四探針法具有測量較小微區(qū)的優(yōu)點，可以測試樣品的不均勻性，微區(qū)及微樣品薄層電阻的測量多采用此方法。四探針法按發(fā)明人又分為Perloff法、Rymaszewski法、范德堡法、改進的范德堡法等。值得提出的是每種方法都對被測樣品的厚度和大小有一定的要求，當不滿足條件時，必須考慮邊緣效應和厚度效應的修正問題

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