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[供應(yīng)]S系列-雙極性晶體管直流特性測試實驗
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  • S系列-雙極性晶體管直流特性測試實驗
貨物所在地:
湖北武漢市
產(chǎn)地:
湖北武漢
更新時間:
2024-05-22 14:06:45
有效期:
2024年5月22日 -- 2025年5月22日
已獲點擊:
77
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產(chǎn)品簡介

雙極性晶體管直流特性測試實驗認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應(yīng)管等。 直流 I-V 測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ),通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。

詳細介紹

雙極性晶體管直流特性測試實驗認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表, 普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺,以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿足行業(yè)對測試效率、測試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。

半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應(yīng)管等。    直流 I-V   測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎(chǔ),通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。


分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù),并在整個工藝流程結(jié)束后評估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個階段都有應(yīng)用,如金屬互連,鍍層階段,芯片封裝后的測試等。


普賽斯儀表開發(fā)的半導(dǎo)體分立器件I-V特性測試方案,由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU)、夾具或探針臺、上位機軟件構(gòu)成。以三端口    MOSFET    器件為例,配套以下設(shè)備:

兩臺 S 型數(shù)字源表

四根三同軸電纜

夾具或帶有三同軸接口的探針臺

三同軸T 型頭

晶體管IV測試.jpg

       需要測試的參數(shù):    

輸出特性曲線

轉(zhuǎn)移特性曲線

跨導(dǎo) gm

擊穿電壓 BVDS




需要儀器列表:    

SMU 源表

探針臺或夾具

普賽斯上位機軟件




高校相關(guān)專業(yè)    

測控,微電子

電氣,自動化,機械

所有開設(shè)模擬電路課程的專業(yè)






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