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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
IGBT簡介：
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經(jīng)常使用在強電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優(yōu)點，IGBT是電力電子設備的“cpu"，被國家列為重點研究對象。
IGBT測試難點：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。
2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。
3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。
6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。
IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試儀器認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。
技術指標
電壓性能參數(shù)：
電壓 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1000V | 100mV | 0.1%±300mV | 100mV | 0.1%±300mV |
1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3000V | 300mV | 0.1%±900mV | 300mV | 0.1%±900mV |
電流性能參數(shù)：
電流 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
應用領域：
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試儀器訂貨信息
型號 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
測量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
最大功率 | 100W | 220W | 300W |
最小電壓量程 | 100V | 100V | 100V |
最大電壓量程 | 1000V | 2200V | 3000V |
最小電流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
最大電流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |