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詳細(xì)介紹
MOSFET管電性能分析用源表集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，最大輸出電壓達(dá)300V，最小電流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中:半導(dǎo)體IC或元器件，功率器件，傳感器，有機(jī)材料與納米材料等特性測(cè)試和分析。
以下是數(shù)字源表的典型應(yīng)用領(lǐng)域:
納米材料與器件
– 石墨烯
– 碳納米管
– 納米線
– 低功耗納米結(jié)構(gòu)
• 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
– 晶圓
– 薄膜
• 有機(jī)材料與器件
– 電子墨水
– 印刷電子技術(shù)
• 能量效率與照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太陽(yáng)電池
– 電池
• 分立器件與無(wú)源組件
– 雙引線: 電阻器、二極管、齊納二極管、LED、傳感器
– 三引線: 小信號(hào)雙極節(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，等等
• 材料特性分析
–電阻率
–霍爾效應(yīng)
典型的器件參數(shù)測(cè)試如下：
晶體管/整流器：正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)、反向漏電流(Ir)
MOSFET/JFET：輸出特性(Vds-Id)、轉(zhuǎn)移特性(Vgs-Id)、導(dǎo)通電阻(Rdson)、擊穿電壓(BVdss,BVdg)、漏電流(Idss,Igss)
雙極性晶體管/IGBT：飽和電壓(Vcesat)、輸出特性(Vce-Ic)、擊穿電壓(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏電流(Iceo,Ices,Iebo)
以上是關(guān)于MOSFET管電性能分析用源表的信息，更多有關(guān)MOSFET管電性能分析用源表的信息找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表