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產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
第三代半導(dǎo)體電性能測(cè)試用源表支持四象限工作，源和負(fù)載；電壓及電流范圍廣，最小電流分辨率10pA，電流100pA~1A，電壓0.3mV~300V，準(zhǔn)確度為0.1%；5寸觸摸顯示屏圖形化操作，內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試；支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)；
源表突出特點(diǎn)：使用一臺(tái)儀器進(jìn)行多種測(cè)量；
應(yīng)用領(lǐng)域：
分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等
測(cè)試功能：
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 芯片 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向?qū)妷?、正向電流、反向擊穿電壓、反向漏電?/span> |
2 | 三極管 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
3 | MOSFET | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
4 | IGBT | L-IV測(cè)試，輸出曲線、轉(zhuǎn)移曲線 |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線、觸發(fā)特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測(cè)試，充放電掃描曲線 |
2 | 光伏電池 | IV測(cè)試，放電掃描曲線 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 納米線 | IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線 |
S系列源表特點(diǎn)：
5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作
內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測(cè)試，如LIV、PIV
源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5位半
四象限工作（源和肼），源及測(cè)量范圍：高至300V，低至10pA
豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告
支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
1、 多功能測(cè)量需求下的廣泛的適應(yīng)性，電壓高300V，電流低至100pA；
2、 實(shí)現(xiàn)“源"的輸出和“表"的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率。
3、 具備對(duì)測(cè)試器件的保護(hù)功能，可進(jìn)行自我限制，避免因過充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害；
精確的電壓電流限制功能，為器件提供完善的保護(hù)功能，避免器件損壞。
4、 觸屏圖形化操作，使用簡單。開放式平臺(tái)，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求而針對(duì)性的開發(fā)軟件。
國產(chǎn)優(yōu)勢(shì)
1、自主研發(fā)，符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求；
2、性價(jià)比高；
3、可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案。及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)。
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