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[供應(yīng)]HCPL100-IGBT半橋模塊測(cè)試用高電流脈沖電源
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  • HCPL100-IGBT半橋模塊測(cè)試用高電流脈沖電源
貨物所在地:
湖北武漢市
產(chǎn)地:
東湖開發(fā)區(qū)光谷大道308號(hào)光谷
更新時(shí)間:
2024-11-01 13:11:27
有效期:
2024年11月1日 -- 2025年2月1日
已獲點(diǎn)擊:
117
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產(chǎn)品簡介

IPM模塊測(cè)試用高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

詳細(xì)介紹

IPM模塊測(cè)試用高電流脈沖電源應(yīng)用領(lǐng)域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊


高電流脈沖電源為脈沖恒流源具有輸出電流大1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成電流-導(dǎo)通電壓"掃描測(cè)試



器件

測(cè)試項(xiàng)

肖特基二極管,整流橋堆

瞬時(shí)前向電壓

IGBT器件

IGBT導(dǎo)通壓降、鍵合線阻抗

IGBT模塊,IPM模塊

IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓、鍵合線阻抗

IPM模塊測(cè)試用高電流脈沖電源技術(shù)指標(biāo)

項(xiàng)目

參數(shù)

電流脈寬

20μs~500μs

脈沖電流上升沿時(shí)間

<10μs

輸出脈沖電流

3~1000A量程,精度0.1%FS±1A

輸出負(fù)載電壓要求

<12V@1000A

DUT電壓測(cè)量

2獨(dú)立通道

遠(yuǎn)端測(cè)量,峰值電壓測(cè)量(取樣點(diǎn)可配置)

0~12V量程,精度0.1%FS±3mV

電流脈沖輸出間隔時(shí)間

1

電流脈沖峰值功率

<12kW

多設(shè)備并聯(lián)

支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流,如3000A

輸出極性反轉(zhuǎn)

支持

觸發(fā)信號(hào)

支持trig       in及trig out

通訊接口

RS232

輸入電壓

90~264VAC、50/60Hz

輸入功率

<500W

尺寸

516       x250       x160mm


更多有關(guān)IPM模塊測(cè)試用高電流脈沖電源的信息找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表專員為您解答




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