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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
LDO芯片電學(xué)特性測(cè)試方案
概述
LDO，全稱為“Low Dropout Regulator”，是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器，LDO具有成本低，噪音低，靜態(tài)電流小的特點(diǎn)，需要的外接元件也很少，因此,LDO廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)壓輸出的場(chǎng)景。
（UTC78XX系列LDO封裝以及內(nèi)部電路示意圖）
? 源表，SMU(Source Measure Unit)電源/測(cè)量單元，“源”為電壓源和電流源，“表”為測(cè)量表，“源表”即指一種可作為四象限的電壓源或電流源提供精確的電壓或電流，同時(shí)可同步測(cè)量電流值或電壓值的測(cè)量?jī)x表。普賽斯S系列高精度源表，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體。產(chǎn)品最大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流量程低至100pA，支持四象限工作，因此,可廣泛應(yīng)用于LDO類芯片測(cè)試。
常用電性能參數(shù)測(cè)試
LDO常用的電性能參數(shù)測(cè)試，主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測(cè)試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù)，因此一般情況下，測(cè)試系統(tǒng)至少需要配置2臺(tái)SMU，并采用上位機(jī)軟件(PssSMUTools)進(jìn)行控制。（以下測(cè)試均參考UTC7805規(guī)格進(jìn)行）
（二線法連接示意圖）
（四線法連接示意圖）
測(cè)試方案
Vo輸出電壓測(cè)試
Vo輸出電壓，是LDO在正常工作下的穩(wěn)定輸出電壓值。當(dāng)加載在LDO輸入端的工作電壓，在規(guī)定范圍內(nèi)變動(dòng)時(shí)，LDO的輸出電壓Vo穩(wěn)定在特定范圍內(nèi)。常用測(cè)試方法為，在LDO的輸入端，加載穩(wěn)定變化的電壓，同時(shí)測(cè)量對(duì)應(yīng)的輸出端電壓值。一般采用二線法連接即可。（參考UTC7805規(guī)格書，其規(guī)格參數(shù)5V左右）
操作步驟
步驟 | 操作方法 | 操作界面 |
選擇測(cè)試模式 | 在上位機(jī)軟件內(nèi)，選擇【晶體管】—>【MOS管測(cè)量】
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設(shè)置SMU參數(shù) | 根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要，分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】，【限值】，【掃描點(diǎn)數(shù)】等。其中，SMU 1的主要作用是，作為輸入電壓源，而SMU 2則作為電壓表 |
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啟動(dòng)測(cè)試 | 點(diǎn)擊運(yùn)行圖標(biāo)“ | / |
測(cè)試數(shù)據(jù) | 待測(cè)試完畢后，分別點(diǎn)擊【表格】，【圖形】，可查看相應(yīng)的數(shù)據(jù)與圖形 |
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Voi輸入輸出電壓差，ΔVo線性調(diào)整率測(cè)試
Voi輸入輸出電壓差，是LDO正常工作時(shí)輸入端與輸出端的最小電壓差值。ΔVo線性調(diào)整率是輸入電壓變化后對(duì)輸出電壓造成的影響。常用測(cè)試方法為，在LDO的輸入端，加載穩(wěn)定變化的電壓，同時(shí)測(cè)量對(duì)應(yīng)的輸出端電壓值，并計(jì)算兩端電壓測(cè)差值，或者輸出端的變化值。此外，為降低測(cè)試中線材的干擾，輸入輸出電壓差測(cè)試可采用4線連接法進(jìn)行測(cè)量。（參考UTC7805規(guī)格書，Voi值為2V左右,ΔVo值為4mV左右）
操作步驟
步驟 | 操作方法 | 操作界面 |
選擇測(cè)試模式 | 在上位機(jī)軟件內(nèi)，選擇【晶體管】—>【MOS管測(cè)量】
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設(shè)置SMU參數(shù) | 根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要，分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】，【限值】，【掃描點(diǎn)數(shù)】等。其中，SMU 1的主要作用是，作為輸入電壓源，而SMU 2則作為電壓表 |
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啟動(dòng)測(cè)試 | 點(diǎn)擊運(yùn)行圖標(biāo)“ | / |
測(cè)試數(shù)據(jù) | 待測(cè)試完畢后，分別點(diǎn)擊【表格】，【圖形】，可查看相應(yīng)的數(shù)據(jù)與圖形 |
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ΔVoload負(fù)載調(diào)整率測(cè)試
ΔVoload負(fù)載調(diào)整率是輸出端接不同負(fù)載，輸出端電壓的變化。由于源表可以直接當(dāng)電子負(fù)載，所以可以直接讓源表做負(fù)載。常用測(cè)試方法為，保持LDO輸入端電壓穩(wěn)定不變，在LDO的輸出端，加載不同的電流值，同時(shí)測(cè)量對(duì)應(yīng)的輸出端電壓值，并計(jì)算輸出端的電壓變化值。此外，為降低測(cè)試中線材的干擾，該測(cè)試可采用4線連接法進(jìn)行測(cè)量。（參考UTC7805規(guī)格書，ΔVoload值為4mV左右）
操作步驟
步驟 | 操作方法 | 操作界面 |
選擇測(cè)試模式 | 在上位機(jī)軟件內(nèi)，選擇【晶體管】—>【MOS管測(cè)量】
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設(shè)置SMU參數(shù) | 根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要，分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】，【限值】，【掃描點(diǎn)數(shù)】等。其中，SMU 1的主要作用是，作為穩(wěn)定的輸入源，而SMU 2則作為負(fù)載，同時(shí)測(cè)量負(fù)載兩端的電壓。 |
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啟動(dòng)測(cè)試 | 點(diǎn)擊運(yùn)行圖標(biāo)“ | / |
測(cè)試數(shù)據(jù) | 待測(cè)試完畢后，分別點(diǎn)擊【表格】，【圖形】，可查看相應(yīng)的數(shù)據(jù)與圖形。根據(jù)測(cè)試需要，設(shè)置不同的輸出電流參數(shù)，進(jìn)行多次測(cè)試。 |
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IQ靜態(tài)電流測(cè)試測(cè)試
IQ靜態(tài)電流，是指輸出端空載時(shí)，輸入端流進(jìn)的電流。常用測(cè)試方法為，斷開(kāi)LDO的輸出端的連接，加載不同的電流值，在LDO輸入端加載電壓，并測(cè)量對(duì)應(yīng)的輸入端電流值。（參考UTC7805規(guī)格書，IQ值為5mA左右）
（連接示意圖）
操作步驟
步驟 | 操作方法 | 操作界面 |
選擇測(cè)試模式 | 在上位機(jī)軟件內(nèi)，選擇【數(shù)據(jù)記錄儀】
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設(shè)置SMU參數(shù) | 根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要，分別設(shè)置SMU的參數(shù)。比如【起始值】，【限值】，【掃描點(diǎn)數(shù)】等。 |
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啟動(dòng)測(cè)試 | 點(diǎn)擊運(yùn)行圖標(biāo)“ | / |
測(cè)試數(shù)據(jù) | 待測(cè)試完畢后，分別點(diǎn)擊【表格】，【圖形】，可查看相應(yīng)的數(shù)據(jù)與圖形。 |
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