產品簡介
詳細介紹
半導體分立器件是組成集成電路的基礎,包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應管等。 直流I-V測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎,通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數(shù)。
分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數(shù),并在整個工藝流程結束后評估器件的優(yōu)劣。在半導體制程的多個階段都有應用,如金屬互連,鍍層階段,芯片封裝后的測試等。
普賽斯儀表開發(fā)的半導體分立器件I-V特性測試方案,由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU)、夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET器件為例,配套以下設備:
兩臺S型數(shù)字源表
四根三同軸電纜
夾具或帶有三同軸接口的探針臺
三同軸T型頭
I-V 測試內容和所需設備
需要測試的參數(shù):
輸出特性曲線
轉移特性曲線
跨導 gm
擊穿電壓 BVDS
需要儀器列表:
SMU 源表
探針臺或夾具
Easy start上位機軟件
高校相關專業(yè)
測控,微電子
電氣,自動化,機械
所有開設模擬電路課程的專業(yè)
有關“數(shù)字源表搭建半導體晶體管IV特性測試實驗”的更多信息找普賽斯儀表專業(yè)人員為您解答