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國產(chǎn)源表搭建集成電路實(shí)驗(yàn)平臺目的
通過實(shí)驗(yàn)動手操作，加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
國產(chǎn)源表搭建集成電路實(shí)驗(yàn)平臺目的
通過實(shí)驗(yàn)動手操作，加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
本科生集成電路實(shí)驗(yàn)平臺實(shí)驗(yàn)?zāi)夸?/strong>
實(shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)二：四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)三： MOS電容的CV特性測試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)六：太陽能電池的特性表征實(shí)驗(yàn)
本科生集成電路實(shí)驗(yàn)平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中微電子器件和材料測試需求
測試設(shè)備簡單易用，專業(yè)權(quán)W，方便學(xué)生動手操作
核心設(shè)備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
測試軟件功能齊全，平臺化設(shè)計(jì)，有專人維護(hù)支持，與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺為起點(diǎn)，可逐步升級，滿足日益增加的實(shí)驗(yàn)室測試需求
本科生集成電路實(shí)驗(yàn)平臺基本功能
實(shí)驗(yàn)名稱 | 測試參數(shù) |
金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性的 IV 特性測試實(shí)驗(yàn) | l 輸出特性曲線 l 轉(zhuǎn)移特性曲線 l 跨導(dǎo) gm l 擊穿電壓 BVDS l |
四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實(shí)驗(yàn)
| l 四探針法電阻率ρ l 材料阻值 R |
MOS 電容的 CV 特性測試實(shí)驗(yàn)（低頻 + 高頻） | l CV 特性曲線 |
半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實(shí)驗(yàn) | l 霍爾電壓 VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數(shù) RH l 載流子濃度 n l 霍爾遷移率 u |
激光二極管 LD 的 LIV 特性測試
| l LIV 特性曲線 l 閾值電流 Ith l 閾值電流對應(yīng)電壓值 Vth l 拐點(diǎn) Kink l 線性電阻 Rs |
太陽能電池的特性表征
| l 開路電壓 Voc l 短路電流 Isc l 功率*值 Pmax l 填充因子 FF l 轉(zhuǎn)換效率η l 串聯(lián)電阻 Rs l 旁路電阻 Rsh |
本科生集成電路實(shí)驗(yàn)平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表， SMU）
普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足*器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺：4寸或6寸手動探針臺
有關(guān)國產(chǎn)源表搭建集成電路實(shí)驗(yàn)平臺的更多信息找普賽斯儀表銷售專員為您解答