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[供應(yīng)]源表應(yīng)用,源表應(yīng)用領(lǐng)域
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  • 源表應(yīng)用,源表應(yīng)用領(lǐng)域
貨物所在地:
湖北武漢市
產(chǎn)地:
武漢
更新時(shí)間:
2024-07-12 14:09:26
有效期:
2024年7月12日 -- 2025年7月12日
已獲點(diǎn)擊:
77
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

普賽斯S型數(shù)字源表應(yīng)用:分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試,電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC等;能量與效率特性測(cè)試,LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等;傳感器特性測(cè)試,電阻率、霍爾效應(yīng)等;有機(jī)材料特性測(cè)試,電子墨水、印刷電子技術(shù)等;納米材料特性測(cè)試,石墨烯、納米線等;

詳細(xì)介紹

普賽斯S型數(shù)字源表應(yīng)用:分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試,電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC等;能量與效率特性測(cè)試,LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等;傳感器特性測(cè)試,電阻率、霍爾效應(yīng)等;有機(jī)材料特性測(cè)試,電子墨水、印刷電子技術(shù)等;納米材料特性測(cè)試,石墨烯、納米線等;

普賽斯源表應(yīng)用方案:二極管IV測(cè)試、激光二極管LIV測(cè)試、三極管MOS管IV測(cè)試、APD管IV測(cè)試、太陽(yáng)能電池板特性參數(shù)測(cè)試、電池充放電特性參數(shù)測(cè)試、電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試;

額外功能(軟件實(shí)現(xiàn)的):二極管IV掃描及參數(shù)分析、三極管IV掃描及參數(shù)分析、LIV測(cè)試系統(tǒng)、太陽(yáng)能電池放電測(cè)試系統(tǒng)、電池充放電循環(huán)系統(tǒng)等;

S型數(shù)字源表簡(jiǎn)介

S系列源表是普賽斯歷時(shí)多年打造的高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、數(shù)字觸摸的*國(guó)產(chǎn)化的源表,集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,大輸出電壓達(dá)300V,小測(cè)試電流達(dá)100pA,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中:半導(dǎo)體IC或元器件,功率器件,傳感器,有機(jī)材料與納米材料等特性測(cè)試和分析。

S型數(shù)字源表特點(diǎn)

5寸800*480觸摸顯示屏,全圖形化操作

內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,加速用戶完成測(cè)試,如LIV、PIV

源及測(cè)量的準(zhǔn)確度為0.1%,分辨率5數(shù)位

四象限工作(源和肼),源及測(cè)量范圍:電流100pA~1A,電壓0.3mV~300V

豐富的掃描模式,支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

S型數(shù)字源表技術(shù)參數(shù)

大輸出功率:30W,4象限源或肼模式;

源限度:電壓源:±30V(≤1A量程),±300V(≤100mA量程);

電流源:±1.05A(≤30V量程),±105mA(≤300V量程);

過(guò)量程: 105%量程,源和測(cè)量;

穩(wěn)定負(fù)載電容:<22nF;

寬帶噪聲(20MHz):2mV RMS(典型值),<20mV Vp-p(典型值);

線纜保護(hù)電壓:輸出阻抗1KΩ,輸出電壓偏移<80uV;

大采樣速率:1000 S/s;

觸發(fā):支持IO觸發(fā)輸入及輸出,觸發(fā)極性可配置;

輸出接口:前后面板香蕉頭插座輸出,同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口;

通信口:RS-232、GPIB、以太網(wǎng);

電源:AC 100~240V 50/60Hz;

工作環(huán)境:25±10℃;

尺寸:106mm高 × 255mm寬 × 425mm長(zhǎng);

 有關(guān)數(shù)字源表的以下信息:

用途:

結(jié)構(gòu):

原理:

額外功能(軟件實(shí)現(xiàn)的):

應(yīng)用領(lǐng)域:

應(yīng)用方案

替代方案:

源表變形

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