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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 電動(dòng)機(jī)功率 | 0.3kW |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 長(zhǎng)516 x寬250 x高160mm | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,石油,電子 |
| 重量 | 8kg | 電流脈寬 | 20μs~500μs |
| 脈沖電流上升沿時(shí)間 | <10μs | 輸出脈沖電流 | 3~1000A量程，精度0.1%FS±1A |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
IGBT簡(jiǎn)介：
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見(jiàn)的功率，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中，如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu"，被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。
IGBT測(cè)試難點(diǎn)：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。
2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。
3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。
4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。
6、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。
IGBT器件高電流測(cè)試脈沖電源找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。
設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測(cè)試。
器件 | 測(cè)試項(xiàng) |
肖特基二極管，整流橋堆 | 瞬時(shí)前向電壓 |
IGBT器件 | IGBT導(dǎo)通壓降、鍵合線阻抗 |
IGBT模塊，IPM模塊 | IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓、鍵合線阻抗 |
IGBT器件高電流測(cè)試脈沖電源技術(shù)指標(biāo)
參數(shù) | 指標(biāo) |
電流脈寬 | 20μs~500μs |
脈沖電流上升沿時(shí)間 | <10μs |
輸出脈沖電流 | 3~1000A量程，精度0.1%FS±1A |
輸出負(fù)載電壓要求 | <12V@1000A |
DUT電壓測(cè)量 | 2獨(dú)立通道 |
遠(yuǎn)端測(cè)量，峰值電壓測(cè)量（取樣點(diǎn)可配置） | |
0~12V量程,精度0.1%FS±3mV | |
電流脈沖輸出間隔時(shí)間 | 1秒 |
電流脈沖峰值功率 | <12kW |
多設(shè)備并聯(lián) | 支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流，如3000A |
輸出極性反轉(zhuǎn) | 支持 |
觸發(fā)信號(hào) | 支持trig in及trig out |
通訊接口 | RS232 |
輸入電壓 | 90~264VAC、50/60Hz |
輸入功率 | <500W |
尺寸 | 長(zhǎng)516 x寬250 x高160mm |
應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
