半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。半導體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復合處于動態(tài)平衡，電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量，而光照可以向電子提供能量，增強它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動態(tài)平衡被打破，自由電子及空穴的形成速率大于復合速率，從而在半導體內(nèi)部形成自由電子——空穴對。因此，光照可以改變載流子的濃度，從而改變半導體的電導率MOOG HP-R18A7-RKP140TM28R1/00
PHOENIXK-5E - OE/5,0-C01/M17 F8
PHOENIXPTO 4-TWIN BU
BAUER 1986317-3 A/171B8411 08/04
MTS 傳感器 RHM0920MD631P102
RITTAL TS8611.100
HYDAC 開關(guān) EDS344-3-016-000
RITTAL備件SZ4315.710
PHOENIXMC 1,5/ 2-G-3,5 GY AU
WIKA壓力表PG23CP φ100 G1/2 Bar/MPa 0-16bar
TWKCRF58 4096G 4096E12 185002
MODULOC 檢測儀 LT200M
IGUS408
FIBRO電磁閥EV81-501MJ1
NORGREN NO.0863417半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。半導體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復合處于動態(tài)平衡，電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量，而光照可以向電子提供能量，增強它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動態(tài)平衡被打破，自由電子及空穴的形成速率大于復合速率，從而在半導體內(nèi)部形成自由電子——空穴對。因此，光
LEGFAW1-2-1-D;18-30V DC
SOMMER氣缸GP416XNC-C
KOBOLDVKP-1080 PN16
STEINEMANN 張緊氣缸 6005401 設(shè)備號：305.564
NEXEN氣動剎車器SBP7-32.0-060-P/N965001 S/N00002768556
TWKSWF05B-FK-01
KOBOLDVKG-2106R0R20
HEIDENHAIN557647-14
HYDACHDA3844-A-400-000
DEMAG DRS250 A65 B0 BHW60
EGE IGVU 05 GSP
HYDAC 濾芯 0950R010BN4HC
TOX易損件包Q-S015.030.100.12.00-998
MONINGHOFF電磁離合器546-32-45-S024V85MMDIN
GESSMANN操縱手柄電位器T130cNr.42x4.529KΩ
HYDAC 濾芯 0240D005BH4HC半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。半導體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復合處于動態(tài)平衡，電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量，而光照可以向電子提供能量，增強它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動態(tài)平衡被打破，自由電子及空穴的形成速率大于復合速率，從而在半導體內(nèi)部形成自由電子——空穴對。因此，光
BOSCH REXROTH 電機 LS80LT
FESTO氣動二聯(lián)件LFR-D-MAX1/C143
KONAFLEX 液壓制動器 液壓制動器VKJ-650
DMG模塊E5-01A31
STAUBLI RBE 03 1151 G1/4
MTS傳感器GHM0655MR021A0
Hosco 6*8-14-SS-90
PHOENIXST-REL4-KG 48/21-21
PHOENIXMC 1,5/16-ST-3,81 CN3,14
LENORD+BAUER備件GEL260AV-02000-F033/0-100rpm
ZIEHL+ABEGG風機RH25M-2DK.1E.2R137734
SUCO 015-805703-022250VAC/DC 壓力開關(guān)
WEIGEL PQ96K MESSB 4-20Ma
HYDAC濾芯感應器VMF2LZ.1/-BO-LED
冷卻軸承箱電磁閥2835A4.0FKMMSG1/2PNVAK-8bar24VDC16W
tekniprodukter備件o-ring 15.6*1.78/nbr 70+半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。半導體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復合處于動態(tài)平衡，電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量，而光照可以向電子提供能量，增強它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動態(tài)平衡被打破，自由電子及空穴的形成速率大于復合速率，從而在半導體內(nèi)部形成自由電子——空穴對。因此，光
PHOENIXUM- 8RM/KSR-G24/21/MS/SI/PLC
PHOENIXSPC 5/ 5-STF-7,62
COLASIT 風機 CN1-3.1023 FOR CHVN 560
HESMOR HID-58-K-2000-05L-5
PHOENIXWP-SC PA HF 10,0 BK
MITSUBISHI備件SD-N300 DC220V
NORELEMnlm08900-A1600x28
HSCOOLER備件KK12-BCV-421L635
REXNORD chain assembly 12B-2; L=7745.7mm; 408 bbbb
HENGSTLER聯(lián)軸器3520074
BECKHOFF 模擬量輸出終端 EL4132
VOGEL 開關(guān) 177-300-094 同VOGEL-0082
PHOENIXSACC-FS-4QO-0,34-M SCO
SchmersalTFH 232-22UEDR半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。半導體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復合處于動態(tài)平衡，電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量，而光照可以向電子提供能量，增強它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動態(tài)平衡被打破，自由電子及空穴的形成速率大于復合速率，從而在半導體內(nèi)部形成自由電子——空穴對。因此，光
BECKHOFF 總線末端端子 KL9010
KUBLER 編碼器 8.5852.1233.G121
BTR 備件 KRA-M4/1 24VDC
MTS位移傳感器RHM0300MP151S3B6105
LINCOLN ULTRASCHALL-SENSOR ZPUU1-100BL-L670
BST傳感器IR2001/10/150
HYDAC 傳感器 HDA3840-A-350-124 10M
NORELEM03288-14 56
WEBER旋轉(zhuǎn)頭439228
SAMSON顯示表SAMSON-5066-701793
IGUS200.02.100.0 (4M) 拖鏈
B+R 模塊 X20DO6322
HAWE比例放大卡EV22K2-24
HUBNERHOG220DN1024TTL
COVAL備件GVPS30T14P1AL 300 mbar G1/4 G 1/2
PHOENIXSACC-DSIV-MS-4CON-L180SCOTHRSH
HYDAC EDS 1791-N-600-009半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。半導體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復合處于動態(tài)平衡，電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量，而光照可以向電子提供能量，增強它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動態(tài)平衡被打破，自由電子及空穴的形成速率大于復合速率，從而在半導體內(nèi)部形成自由電子——空穴對。因此，光
B+R 3D0486.6
JUMO PT100 9021190/10 380 1001 1 8 85 11 2000 000
BST 備件 133457 cable for IR2011 length:5m
HEIDENHAIN LC483(557647-08)
BOURDON-HAENNI ED701 120-413-A66-10
EAGTOP制動電阻BRU15KW/16R
R 斷路器 /GV2ME40/40A
HYDAC 傳感器 ETS1701-100-000
NICOPRESS備件428-7-VF27/32
TOMOE 氣動流量調(diào)節(jié)蝶閥 EDN_XL0071_DAG_A00+EP5 MULPIC上噴水凸度閥
PHOENIXCCV 2,5/12-GF-5,08-LR P26THR半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。半導體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復合處于動態(tài)平衡，電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量，而光照可以向電子提供能量，增強它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動態(tài)平衡被打破，自由電子及空穴的形成速率大于復合速率，從而在半導體內(nèi)部形成自由電子——空穴對。因此，光
E+L FR5.LW7500220905 左反光板
PHOENIXFLK 50/EZ-DR/ 300/KONFEK
RONZIO02ZCG08R433D
MOOG 閥 214 500 021/B D-37401
JHUBNER 編碼器 FGH6KK-2000G-90G-NG-S-J/50P
TURCK 備件 NI25-CK40-LIU-HII41+RK4.4T-2半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。半導體材料中的載流子包括材料內(nèi)部的自由電子及其留下的空位—— 空穴兩種。在正常情況下自由電子及空穴的形成與復合處于動態(tài)平衡，電子要克服原子的束縛成為自由電子必須吸能量，而光照可以向電子提供能量，增強它掙脫原子束縛的能力。使得原本的動態(tài)平衡被打破，自由電子及空穴的形成速率大于復合速率，從而在半導體內(nèi)部形成自由電子——空穴對。因此，光
MTS 傳感器 RHS0900MP101S2B6100
6013A/FKMM5 G1/4 0-10BAR 230V/50HZ 訂貨號PLX00001028
SCHMERSAL 限位開關(guān) TA064-12Y-2512-2
GUDEL線纜0144733
FASTER WS12GAS F
AEG 調(diào)功器 1A 400-030H
DANFOSS電磁閥032U1256
FLOW5030PVDFWHEEL VA G1/2FKM 00424004
Warmbier 門2560.894.
SBA變壓器169-0001
MTS 編碼器 RHM1350MD631P102編碼器
KNOLL離心泵TG40-52/22 285
EMG糾偏框架IMR-SR/800/2075/15
CABUR涌浪保護器BY7-40/3-1000
KOBOLD 流量計 VKM-3110-RO-R25
PARKER 比例閥 D1FVE50BCVLB35
VERDER 雙隔膜泵 VA-15PPPPTFTF
mts傳感器lhmr002m09351a0
HBM傳感器Z6FC3 500KG-N6N-009
MAHLE濾芯PI 8430 DRG60
BINKSVS-21
HEMOMATIK 備件 BX80E/10-1H 6X24VDC
SQUARE 限位開關(guān)擋頭 開關(guān)附件 B9007B1
HYDAC濾芯0240D003BH4HC
ODU備件190.235.100.201.000M德國IFM傳感器CR0302德國IFM傳感器CR0302