DBH德國安裝背板162825
深圳市普索進(jìn)出口貿(mào)易有限公司（普索貿(mào)易）是一家專業(yè)經(jīng)營(yíng)工控行業(yè)備件進(jìn)口的公司，公司依托德國分公司在歐盟區(qū)域常年的采購經(jīng)驗(yàn)，與歐盟境內(nèi)3000多個(gè)工控品牌，5000多家供應(yīng)商建立起長(zhǎng)久的合作，為客戶提供100％原裝正品的工業(yè)產(chǎn)品及零部件的同時(shí)提供優(yōu)質(zhì)的價(jià)格及服務(wù)。

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DBH 162825 162825 安裝背板 其他工業(yè)用鋁制品
DBH 162825 002106442-0000 安裝背板 其他工業(yè)用鋁制品

ewo 274.665 德國 8481100090 減壓閥
ACS gmbh X1.218.55.000.1J 德國 8481804090 開關(guān)閥
ZIEHL-ABEGG GR31M-2DK.5H.2R 120621 德國 8414593000 離心風(fēng)機(jī)
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LED2WORK 141014-04 德國 9405409000 照明燈
JAURE SX-255.6 KTLA0010028 德國 8484100000 密封墊
Riels RIB100-L60C 德國 9026209090 壓力傳感器
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ENEMAC 0070033214H7 德國 8483600090 聯(lián)軸器
Bürkert 238939 德國 8481804090 開關(guān)閥
Bürkert 0331 41198 德國 8481802190 換向閥
Bürkert 186289 德國 9032899090 閥門定位器
Bürkert 444006 法國 9026100000 流量計(jì)
Bürkert 238931 德國 8481804090 開關(guān)閥
G&D CPU-DP-U-2 德國 8544421100 電纜
G&D CPU-DVID-DL-U-2 德國 8544421100 電纜
TECNA 6410 9321 意大利 8428909090 平衡器
STRACK Z5140-1 185310 德國 8477900000 定位塊
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STRACK Z5140-0 162931 德國 8477900000 定位塊
sesino T60 CF2 意大利 8419500090 過濾器
VEIT 156506 德國 8421399090 過濾器
VEIT 2111010450 德國 3926901000 墊板
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VEIT 4221620120 德國 8421399090 過濾器
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Bürkert 61104 德國 8481802190 換向閥
Isoloc UMS18-ASA/10(pat.) 31812 德國 7326901900 支撐腳
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RIEGLER 226.01-0,2 103929 德國 8481300000 止回閥
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RIEGLER 229.01-0,3 德國 8481400000 安全閥

磁控濺射是物理氣相沉積( Physical Vapor Deposition,υ)的種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。上世紀(jì)70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行髙速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

原理：磁控空濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用,產(chǎn)生E(電場(chǎng))xB(磁場(chǎng))所指的方向漂移,簡(jiǎn)稱ExB漂移,其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng),則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng),而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離岀大量的Ar來轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳遞給靶原子，此靼原子又和其他靶原子碰撞,形成級(jí)聯(lián)過程。在這種級(jí)聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開靶，被濺射出來

原理圖

濺射技術(shù)

直流濺射法

直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料,不適于絕緣材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí),表面的離子電荷無法中和,這將導(dǎo)致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小,甚至不能電離,導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,濺射停止。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?須用射頻濺射法(RF）

濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程:入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子;某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘(對(duì)于金屬是5-10eV),從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞岀來,產(chǎn)生離位原子;這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞,產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián);當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能(對(duì)于金屬是1-6eV),這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空

濺射鍍膜

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等

由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來的,因而濺射出來的原子能量高,有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力,提高沉積組織的致密程度,使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。濺射時(shí),氣體被電離之后,氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材,電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下,產(chǎn)生的離子數(shù)目少,靶材濺射效率低;而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產(chǎn)生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射,影響制膜質(zhì)量。另外,靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加,因而被散射到整個(gè)腔體,既會(huì)造成靶材浪費(fèi),又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。

濺射后的銀靶材

為了解決陰極濺射的缺陷,人們?cè)?0世紀(jì)年代開發(fā)岀了直流磁控濺射技術(shù),它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn),因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用

其原理是:在磁控濺射中,由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力,它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng),其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng),因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù),使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向;另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí),經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽極時(shí),已變成低能電子,從而不會(huì)使基片過熱。因此磁控濺射法具有高速、“低溫"的優(yōu)點(diǎn)。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜,而且磁電極中采用的不均勻磁場(chǎng)會(huì)使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕,導(dǎo)致靶材利用率低,一般僅為20%-30%