產(chǎn)品簡介
品牌:卡爾·蔡司
型號:SIGMA 500
制造商:德國卡爾蔡司公司
詳細(xì)介紹
蔡司場發(fā)射掃描電鏡【品牌故事】
世界可見光及電子光學(xué)的企業(yè)——德國蔡司公司始創(chuàng)于1846年。其 電子光學(xué)前身為LEO(里奧),更早叫Cambridge(劍橋)和Zeiss。積掃描電鏡領(lǐng)域40多年及透射電鏡領(lǐng)域60年的經(jīng)驗,電子光學(xué)成像技術(shù)在世界上創(chuàng)造了數(shù)個里程碑:
-與AEG公司合作實現(xiàn)了透射電子顯微鏡的商業(yè)化(1949)
-陸續(xù)推出的EM9型電子顯微鏡是世界上*具有自動曝光控制的電磁式
-透射電子顯微鏡TEM(1956)
-推出EM902型配用Castaing-Henry過濾器商用電子顯微鏡,用戶利用
-該種新產(chǎn)品能夠得到高分辨率元素分布圖片(1984)
-配用靜電電磁物鏡(Gemini技術(shù))的場發(fā)射掃描電子顯微鏡DSM982
-Gemini投放市場(1993)
-推出具有Koehler照明的200KV場發(fā)射透射電鏡(2003)
-推出具有鏡筒內(nèi)校正Omega能量濾波器的場發(fā)射透射電鏡(2003)
CARL ZEISS其前瞻性和完善的設(shè)計,融合歐洲至上的制造工藝, 造就了該品牌在光電子領(lǐng)域的地位。自成立至今,一直延續(xù)不 斷創(chuàng)新的傳統(tǒng),公司擁有廣泛的專有技術(shù),隨著離子束技術(shù)和基于電子束的 分析技術(shù)的加入,可為您提供鎢燈絲掃描電鏡、場發(fā)射掃描電鏡、雙束顯微鏡(FIB and SEM)、透射電子顯微鏡等全系列解決方案。其產(chǎn)品的高性能、 高質(zhì)量、高可靠性和穩(wěn)定性已得到世界范圍內(nèi)廣大用戶的信賴與認(rèn)可。
作為一家電子光學(xué)產(chǎn)品提供商,我們將為您提供完善的納米技術(shù)解決方案,并且以專業(yè)化的手段讓您的投資物有所值。無論您是企業(yè)還是科研機(jī)構(gòu),卡爾 蔡司在高質(zhì)量電子光學(xué)系統(tǒng)方面優(yōu)良的傳統(tǒng)都會為您的業(yè)績做出積極的貢獻(xiàn)。
蔡司場發(fā)射掃描電鏡【核心技術(shù)】
蔡司公司推出的Sigma 500場發(fā)射掃描電鏡采用成熟的GEMINI光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計,分辨率超過0.8nm,為您提供分辨率和分析性能科研平臺。Sigma500專注于的EDS幾何學(xué)設(shè)計使您可以獲取*的分析性能。借助Sigma直觀便捷的四步工作流程可以快速成像、簡化分析程序、提高工作效率。您會比以往更快、更多的獲取數(shù)據(jù)。多種探測器的選擇使Sigma500可以的匹配您的應(yīng)用程序:您可以獲取微小粒子、表面、納米結(jié)構(gòu)、薄膜、涂層和多層的圖像信息。
【技術(shù)參數(shù)】
分辨率:0.8nm@30kV STEM
0.8nm @15 kV
1.4 nm @1kV
放大倍數(shù):10-1,000,000×
加速電壓:調(diào)整范圍:0.02-30 kV(無需減速模式實現(xiàn))
探針電流: 3pA~20nA(100nA選配) 穩(wěn)定性優(yōu)于 0.2%/h
低真空范圍:2-133Pa(Sigma 500VP可用)
樣品室: 358 mm(φ),270.5 mm(h)
樣品臺:5軸優(yōu)中心全自動
X=130mm
Y=130mm
Z=50mm
T=-4°-70°
R=360°
系統(tǒng)控制:基于Windows 7的SmartSEM操作系統(tǒng),可選鼠標(biāo)、鍵盤、控制面板控制
存儲分辨率:32k x 24k pixels
【產(chǎn)品應(yīng)用】
掃描電鏡廣泛用于材料科學(xué)(金屬材料、非金屬材料、納米材料)、冶金、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)、半導(dǎo)體材料與器件、地質(zhì)勘探、病蟲害的防治、災(zāi)害(火災(zāi)、失效分析)鑒定、刑事偵察、寶石鑒定、工業(yè)生產(chǎn)中的產(chǎn)品質(zhì)量鑒定及生產(chǎn)工藝控制等。在材料科學(xué)、金屬材料、陶瓷材料半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域,進(jìn)行材料的微觀形貌、組織、成分分析。各種材料的形貌組織觀察,材料斷口分析和失效分析,材料實時微區(qū)成分分析,元素定量、定性成分分析,快速的多元素面掃描和線掃描分布測量,晶體/晶粒的相鑒定,晶粒尺寸、形狀分析,晶體、晶粒取向測量。