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[供應]AEG Thyro-A1A 400-30H1調功器
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  • AEG Thyro-A1A 400-30H1調功器
貨物所在地:
山東濟南市
產地:
歐美
更新時間:
2023-08-22 15:12:21
有效期:
2023年8月22日 -- 2024年8月22日
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28
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產品簡介

AEG Thyro-A1A 400-30H1調功器
COSTECHA17M23SWB MT0
COSTECH A17M23SWB MT0
CRACOSwivel Z 223340
CTCLP252-2R1-1D
CUDERM D100
CUDERM D302

詳細介紹

AEG Thyro-A1A 400-30H1調功器

CIRCLE SEAL  D532B-1M-55
CIRCLE SEAL  D532B-1M-55
CLEVEAND CVT-P-20
CLEVEAND CVT-P-20
Clinical & Derm S100
CNT SM.200.3 min 24V 50Hz
COFI TRK1-20CVD
Collins 6745  0.5 Micron Teflon Hydrophobic Element
CONDOR 253761
Corbetta MEM56ST
COSTECH A17M23SWB MT0

德國THOMAS 776S SEK 197高速脫水機

EEI S.p.A.  912.7觸發(fā)器

 CUDERMD500 D-Squame Pressure Instrument壓力棒 

CUDERMD100D-Squame Standard Sampling Discs貼片

SIEMENS3EB2 003-7D避雷器

 AEG1S 400-100 HRL1 升級款1S 400-100 HRLP3 400V 100A可控硅調功器

 AEG2A 400-280 HRL1 升級款: 2A 400-280 HFRL3 400V 280A可控硅調功器

ZF  電磁閥GE5 060 F47/1534161 111 062升級款0017-191 4161.109.201

德國THOMAS 776S SEK 197高速脫水機

SteelmanChassisEAR 06600底盤聽診器

 AEG 調功器1A 230-170 H RLP3

ZF0017-191換擋電磁閥

BD342003鞘液 20L

AEG 1A 400-60 HRL1升級款1A 400-60 HRL3

Asco Numatics 240-240通信擴展模塊

IMOSMT-CD-R20   CPU控制模塊

IMOSMT-2AO  AO模擬量輸出模塊

IMOSMT-MD-4AI AI模擬量輸入模塊

IMOSMT-PM04   PM04儲存卡

IMOSMT-PC03   SMT程序下載線

IMOSMT-USB PM04儲存卡讀卡器

BD334224 5L/桶 關機液 

TELWIN5500拉拔機

ZF GE5060F47/153升級款0017-191電磁閥

Saia Burgess KOP128J7BAVPN00時間繼電器

PMVF5-MEC-420

schunk1428546 SWO-L-EB9-K ( EB9伺服模塊機器人側9121-EB9-M ATI)

schunk1428551 SWO-L-EB9-A (EB9伺服模塊工具側9121-EB9-T ATI)

 AEG 調功器通訊模塊_Bus module ethernet_Mat:2000000846 A(2000000846)

D-SquameD100

D-SquameD500

D-SquameD501

PFANNENBERG11611801050

PFANNENBERG11710001050

LEGRAND004876

可控硅型號

編輯

按一機部IBI144一75的規(guī)定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志,如表1-6所示。

通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示。

例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。

綜上所述,小結如下:

(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個電極,用硅半導體材料制成的管芯由

PNPN四層組成

(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。

(3)可控硅導通后,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。

(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區(qū)。

(5)應在額定參數(shù)范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:

電流

⒈ 額定通態(tài)電流(IT)即大穩(wěn)定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。

⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。

⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。

AEG Thyro-A1A 400-30H1調功器


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