1031494編碼器SSI輸出大功率ARS60-ADK32767電離層中等離子體環(huán)境的基本知識，分析空間等離子體對電磁波傳輸、散射特性產(chǎn)生影響的主要因素，后根據(jù)空間等離子體中的電子密度、離子密度等經(jīng)驗?zāi)Ｐ?，從等離子體中的電波傳播理論出發(fā)，討論了等離子體中電波傳播的WKB、傳輸矩陣、FDTD、射線追蹤等數(shù)值計算方法。2.電磁波在塵埃等離子體中的傳播問題是一個越來越受到廣泛關(guān)注的研究課題。本文首先從空間塵埃等離子體中塵埃顆粒的充放電模型出發(fā)，將充電塵埃粒子的電磁散射考慮為中心塵埃的散射及粒子外圍德拜云的散射，分析充電塵埃系統(tǒng)的Mie-Debye散射，研究充電平衡條件下塵埃等離子體中的帶電塵埃系統(tǒng)電磁散射特性。后，根據(jù)塵埃系統(tǒng)的充放電方程和靜電平衡條件計算塵埃粒子吸附電荷數(shù)隨塵埃半徑的變化關(guān)系。通過相關(guān)電離層模型模擬空間環(huán)境，采用輸運理論計算得到高層大氣環(huán)境中塵埃等離子體層對電磁波的反射、衰減特性。計算結(jié)果表明，當電磁波波頻率一定時，塵埃對電磁波衰減與電子密度、塵埃粒子密度以及塵埃粒子半徑成正比。3.空間碎片長期運行在空間軌道上，并隨著人類航天活動的不斷深入而日益增多，嚴重地威脅著航天器的安全。本文首先根據(jù)空間碎片增減的因素，研究空間碎片的分布模型。在電離層準拋物模型的基礎(chǔ)上，計算擾動電離層的電子密度分布圖，研究電離層不均勻體的散射特性。結(jié)合坐標的尺度變換理論分析了橢球碎片的電磁散射特性。后，采用Born近似取不均勻體的內(nèi)場為入射波，推導(dǎo)了擾動區(qū)域中不均勻體和空間危險碎片的雙站雷達散射截面計算公式，計算結(jié)果表明，電離層不均勻體將雷達探測波的大部分能量散射到前向及其附近方向，對碎片的地基雷達探測造成的影響，且當電磁波頻率增大時，不均勻體對碎片探測的影響將減小。4.電離層是一個巨大的天然等離子體物理實驗室，是無線電波傳播的承載體和通道，給定的加熱條件下，低電離層可以根據(jù)電子的有效復(fù)合系數(shù)研究電子密度擾動模型。而對于電離層高層區(qū)域，考慮到電子和離子漂移的影響，加熱機制與低層區(qū)域有很大不同。因此，需要通過電子、離子的動力學(xué)方程、連續(xù)性方程，分別建立低電離層和高電離層的電子密度擾動模型。分析表明地面發(fā)射大功率的高頻電磁波注入電離層可以引起電離層中電子密度發(fā)生明顯變化，且電磁波對電離層的加熱作用具有飽和效應(yīng)。后，采用射線追蹤方法，仿真分析了電磁波在加熱電離層中不同路徑傳輸?shù)乃p。并基于以上加熱電離層傳播模型，建立了加熱電離層多徑信道模型，對仿真的信道模型進行了分析，表明加熱電離層信道是一種時變色散衰落信道。5.飛行器在空間高速飛行時周圍形成等離子體包覆流場，對無線通信系統(tǒng)造成不可忽視的影響。本文建立鈍頭錐體的飛行器模型，根據(jù)飛行器外圍流場特性，采用軸對稱熱化學(xué)非平衡流動的無量綱化控制方程組模擬高速飛行器表面繞流流場。根據(jù)流場的旋轉(zhuǎn)對稱性質(zhì)，求解飛行器外圍流場的溫度分布、各組分密度分布以及不同馬赫數(shù)下的電子密度分布。6.根據(jù)飛行器流場仿真得出的電子密度分布參數(shù)，采用WKB等方法計算了等離子體鞘套中電磁波的衰減，通過分析鞘套的等離子體特性，計算了鞘套中電磁波傳播產(chǎn)生的相移。并將鈍頭錐體飛行器模型進行三角面元剖分，采用PO方法計算了不同飛行速度下鈍頭錐體飛行器的RCS。在分析飛行器表面等離子體性質(zhì)及其對通信信號的衰減等因素的基礎(chǔ)上，構(gòu)建了空間通信“黑障”預(yù)報模型。根據(jù)飛行器再入軌跡，對發(fā)生的“黑障”進行了預(yù)測。并針對黑障問題，建立了一種磁窗模.

1031494編碼器SSI輸出大功率ARS60-ADK32767  確模型,并對不同部件對電磁波傳播的影響進行了仿真分析。仿真結(jié)果得出:電流傳感器和母線對電磁波信號有較強的衰減作用,絕緣子會引起明顯的波形畸變,而斷路器對電磁波信號的影響有限。通過在仿真模型中不同位置設(shè)置放電點和檢測點,綜合考慮不同放電情況下各檢測點的總體檢測效果及檢測波動性,并通過試驗驗證,終確定了開關(guān)柜前柜底板右側(cè)為傳感器. 電磁超材料的吸波原理及研究方法出發(fā),提出了基于耶路撒冷十字與正方形環(huán)的多頻帶微波段超材料吸波器,并采用多反射干涉理論解釋其吸波機理。另外,我們分別采用對角排列與嵌套排列方式構(gòu)造了寬頻帶的太赫茲超材料吸波器,并討論了在TE與TM波很寬的入射角度下其吸波率。部分主要內(nèi)容是多頻帶微波段超材料吸波器的設(shè)計、模擬與實驗,以及利用多反射干涉理論模型分析它的吸波機理。首先,我們研究了不同開口槽尺寸下,傳統(tǒng)開口諧振環(huán)(split ring resonator, SRR)超材料的吸波率,發(fā)現(xiàn)開口諧振環(huán)可等效為垂直交叉的I形結(jié)構(gòu),其吸收器可變?yōu)橐啡隼涫殖牧稀⒍鄠€不同尺寸的耶路撒冷十字結(jié)構(gòu)依次水平地組合到同一個超材料單元上,實現(xiàn)了多頻帶的完美吸波；同時,采用多反射干涉理論模型計算了耶路撒冷十字界面上的反射參數(shù)與透射參數(shù),結(jié)果表明：在垂直入射情況下,計算的吸收率與模擬、實驗結(jié)果相一致。其次,基于正方形環(huán)結(jié)構(gòu)采用嵌套排列設(shè)計了多頻帶的超材料吸波器,此種排列方式減小了超材料對外來電磁波極化方向與入射角度的依賴性,具有無極化與寬入射角度下的吸波性能。接著引入共振頻率處的功率損耗密度分布對其吸波機理進行了解釋。然后,通過優(yōu)化多反射干涉理論模型與正方形環(huán)界面的單元結(jié)構(gòu)計算了強耦合超材料的吸收率。結(jié)果表明：在TE與TM波不同的入射角度下,計算的吸波率與模擬的結(jié)果相同。本論文第二部分主要是寬頻帶太赫茲超材料吸波器的設(shè)計與表征,以及在TE與TM波很寬的入射角度下其吸波率的研究。首先,我們基于金屬圓片結(jié)構(gòu)設(shè)計了單頻帶的太赫茲超材料吸波器,并引入兩金屬結(jié)構(gòu)層表面的電流及z向電場分布分析其吸波機理。利用對角排列方式將多個不同尺寸的圓片結(jié)構(gòu)組裝同一個超材料單元上,構(gòu)造了寬頻帶、超薄的太赫茲吸波器。研究結(jié)果表明：隨著金屬圓片數(shù)量的增加,超材料的吸收帶寬會增加,但整體的吸波性能會下降。其次,我們研究了基于正方形環(huán)共面的寬頻帶超材料吸收器,并引入共振頻率處金屬結(jié)構(gòu)層表面的電流分布分析其吸波機理,然后給出了在TE波與TM波模式很寬的入射角度下該結(jié)構(gòu)的吸波率,后,討論了超材料各組成部分的損耗參數(shù)對整體結(jié)構(gòu)吸波性能的影響。

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