200kV雷電沖擊電壓發(fā)生器成套裝置工作原理

沖擊電壓發(fā)生器通常都采用Marx回路。圖中C為級電容,它們由充電電阻R 并聯(lián)起來,通過整流回路T-D-r充電到V。此時,因保護(hù)電阻r 一般比R 約大10倍,它不僅保護(hù)了整流設(shè)備,而且還能保證各級電容充電比較均勻。在第1級中g(shù)0為點火球隙，由點火脈沖起動；其他各級中g(shù)為中間球隙,它們調(diào)整在g0起動后逐個動作。這些球隙在回路中起控制開關(guān)的作用,當(dāng)它們都動作后,所有級電容C 就通過各級的波頭電阻Rf串聯(lián)起來,并向負(fù)荷電容C0充電。此時,串聯(lián)后的總電容為C/n，總電壓為nV。n為發(fā)生器回路的級數(shù)。由于C0較小，很快就充滿電,隨后它將與級電容C一起通過各級的波尾電阻Rt放電。這樣，在負(fù)荷電容C0上就形成一很高電壓的短暫脈沖波形的沖擊電壓。在此短暫的期間內(nèi),因充電電阻R 遠(yuǎn)大于Rf和Rt,因而它們起著各級之間隔離電阻的作用。沖擊電壓發(fā)生器利用多級電容器并聯(lián)充電、串聯(lián)放電來產(chǎn)生所需的電壓，其波形可由改變Rf和Rt的阻值進(jìn)行調(diào)整, 幅值由充電電壓V 來調(diào)節(jié)，極性可通過倒換硅堆D兩極來改變。 

額定參數(shù)值 

額定標(biāo)稱電壓：±400kV
額定級電壓：±100kV
額定能量：10kJ
沖擊總電容：0.25μF
總級數(shù)：4級
額定級電容量：0.5μF

負(fù)荷電容為300~5000PF時能產(chǎn)生下列波形：

1、1.2±30%/50±20%μs雷電沖擊電壓全波，電壓效率≥92%(空載)

2、2～6μs的標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓截波，電壓效率≥92%(空載)

3、沖擊電壓波形參數(shù)均符合IEC和GB311－97國家標(biāo)準(zhǔn)的要求

4、同步范圍：級電壓在10%～100%額定電壓范圍內(nèi)，正負(fù)極性同步范圍不小于20%；

5、點火范圍10%～100%

6、同步放電失控率：＜ 2%

7、*低輸出電壓：≤10un

8、充電電壓不穩(wěn)定度：≤±1.0%

9、使用持續(xù)時間：＞70%un額定電壓以上，每90秒充放電一次可連續(xù)運行；在＜70%un額定電壓下，每45秒充放電一次可連續(xù)運行。

200kV雷電沖擊電壓發(fā)生器成套裝置產(chǎn)品特性 

1、成套裝置配置完整，電壓等級齊全；

2、沖擊電壓發(fā)生器回路電感小，并采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下仍能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓波形，負(fù)載能力大，并運用于科研和企業(yè)單位；

3、電壓利用系數(shù)高，雷電波和操作波分別不低于90％和80％；

4、沖擊本體結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠；

5、采用可控硅或LC恒流充電自動控制技術(shù)，自動化程度高，抗*力強；

6、截波延時采用電子延時可調(diào)電路L—C延時方式；

7、計算機控制測量(光纖PLC)系統(tǒng)。