200kV5kJ雷電沖擊電壓發(fā)生器裝置主要部件 

直流充電部分

采用雙邊不對(duì)稱(chēng)式可控硅恒流充電方式，額定輸出電壓±100kV；
采用雙邊不對(duì)稱(chēng)式可控硅恒流充電方式，額定輸出電流30mA；
采用絕緣筒油浸式充電變壓器，變壓器密封良好，無(wú)滲漏油；
采用2DL－200kV/200mA的高壓整流硅堆；
高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上；
恒流充電裝置在10%～100%額定充電電壓范圍內(nèi)，實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%，充電電壓的可調(diào)精度為1%；
直流電阻分壓器采用100kV，200MΩ油浸式金屬膜電阻，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi)；
自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)采用鋼帶接地機(jī)構(gòu)，試驗(yàn)停止時(shí)可自動(dòng)將主電容器經(jīng)保護(hù)電阻短路接地。
直流充電裝置的正負(fù)極性為自動(dòng)倒換；
恒流充電的裝置、充電變壓器、高壓整流硅堆、倍壓電容、電阻分壓器、限流電阻和下位機(jī)及本體部分等安裝在同一移動(dòng)式底盤(pán)上。

 本體部分

本體結(jié)構(gòu)形式采用仿瑞士Haefely公司G型結(jié)構(gòu)，封閉式放電系統(tǒng)，Highvoit技術(shù)的接地裝置；
本體每級(jí)額定電壓±100kV；
本體每級(jí)包括1臺(tái)MWF50kV/1μF×2鐵外殼油浸式脈沖電容器、波頭電阻、波尾電阻和點(diǎn)火球隙等，當(dāng)產(chǎn)生雷電波時(shí)根據(jù)試品電容量大小，選擇適當(dāng)?shù)睦纂姴ú^電阻、波尾電阻和級(jí)數(shù)。
波頭電阻、波尾電阻均采用板形結(jié)構(gòu)，無(wú)感繞制，波頭電阻和波尾電阻均可互換；
接頭均為彈簧壓接式，方便調(diào)波時(shí)的插拔且接觸可靠；
波頭、波尾電阻支架可以由多支電阻同時(shí)并聯(lián)使用；
*級(jí)球隙采用單邊同步點(diǎn)火脈沖裝置觸發(fā)，第二級(jí)采用橢圓球隙點(diǎn)火，同步誤動(dòng)率或拒動(dòng)率不大于2%。
各級(jí)球隙距離由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)作直線調(diào)整，裝置噪音小，定位無(wú)慣性，準(zhǔn)確、快速，控制顯示對(duì)應(yīng)球距的放電電壓；
本體支柱采用環(huán)氧樹(shù)脂絲纏繞制造，*高電位的部分采取抗老化和電暈的措施；
400kV沖擊電壓發(fā)生器本體尺寸長(zhǎng)×寬×高約：2.4m×2m×1.7m，整個(gè)本體部分有活動(dòng)輪架，便于隨意移動(dòng)； 

200kV5kJ雷電沖擊電壓發(fā)生器裝置額定參數(shù)值 

標(biāo)稱(chēng)電壓：±900kV

級(jí)電壓：±150kV

額定能量：21.9kJ

每級(jí)主電容： 0.325μF  150kV(單臺(tái)脈沖電容器0.65μF/75kV)

沖擊總電容：0.05417μF

總級(jí)數(shù)：6級(jí)

負(fù)荷電容：300-2000PF以下能產(chǎn)生以下幾種波形

1、標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波，±1.2/50μs電壓利用系數(shù)＞90%(空載)；波頭時(shí)間1.2±30%微秒，波尾時(shí)間50±20%微秒。

2、1000～1500V/nS合成絕緣子陡波沖擊電壓，*大幅值600kV。

3、盤(pán)形懸式絕緣子    2.8p.u.

4、針式絕緣子        2.0p.u.

5、柱式絕緣子        2.3p.u.

    這幾種沖擊電壓波形參數(shù)及其偏差均符合有關(guān)國(guó)家GB311及GB16927標(biāo)準(zhǔn)的要求。