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局部放電測(cè)試儀檢測(cè)缺陷部位和缺陷類型判斷依據(jù)
局部放電測(cè)試儀檢測(cè)缺陷部位和缺陷類型判斷依據(jù)
一、缺陷部位判斷依據(jù)
(1)多傳感器定位
利用時(shí)延方法實(shí)現(xiàn)空間定位。在疑似故障部位利用多個(gè)傳感器同時(shí)測(cè)量,并以信號(hào)首先到達(dá)的傳感器作為觸發(fā)信號(hào)源,就可以得到超聲波從放電源至各個(gè)傳感器的傳播時(shí)間,再根據(jù)超聲波在設(shè)備媒質(zhì)中的傳播速度和方向,就可以確定放電源的空間位置。
(2)單傳感器定位
移動(dòng)傳感器,測(cè)試氣室不同的部位,找到信號(hào)的大點(diǎn),對(duì)應(yīng)的位置即為缺陷點(diǎn)。通過(guò)兩種方法判斷缺陷在罐體或中心導(dǎo)體上。
方法一,通過(guò)調(diào)整測(cè)量頻帶的方法,將帶通濾波器測(cè)量頻率從100kHz減小到50kHz,如果信號(hào)幅值明顯減小,則缺陷位置應(yīng)在殼體上;信號(hào)水平基本不變,則缺陷位置應(yīng)在中心導(dǎo)體上。
方法二,如果信號(hào)水平的大值在罐體表面周線方向的較大范圍出現(xiàn),則缺陷位置應(yīng)在中心導(dǎo)體上;如果大值在一個(gè)特定點(diǎn)出現(xiàn),則缺陷位置應(yīng)在殼體上。缺陷類型判斷依據(jù)見(jiàn)表C.1。
二、缺陷類型判斷依據(jù)
(1)自由金屬微粒
對(duì)于運(yùn)行中的設(shè)備,微粒信號(hào)的幅值:背景噪聲
注:這里的推薦參考值,各地因設(shè)備狀況、運(yùn)行條件和檢測(cè)儀器等因素的不同,推薦參考值可能不同。各地可根據(jù)的歷史檢測(cè)數(shù)據(jù)、自身所能承受的系統(tǒng)風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,定期修訂完善推薦參考值。
(2)電暈放電(數(shù)據(jù)參考帶電設(shè)備帶電檢測(cè)技術(shù)規(guī)范中規(guī)定)
毛刺一般在殼體上,但導(dǎo)體上的毛刺危害更大。只要信號(hào)高于背景值,都是有害的,應(yīng)根據(jù)工況酌情處理。在耐壓過(guò)程中發(fā)現(xiàn)毛刺放電現(xiàn)象,即便低于標(biāo)準(zhǔn)值,也應(yīng)進(jìn)行處理。
(3)懸浮電位
電位懸浮一般發(fā)生在斷路器氣室的屏蔽松動(dòng),PT/CT氣室絕緣支撐松動(dòng)或偏移,母線氣室絕緣支撐松動(dòng)或偏移,氣室連接部位接插件偏離或螺栓松動(dòng)等。設(shè)備內(nèi)部只要形成了電位懸浮,就是危險(xiǎn)的,應(yīng)加強(qiáng)監(jiān)測(cè),有條件就應(yīng)及時(shí)處理。對(duì)于126kV GIS,如果100Hz信號(hào)幅值遠(yuǎn)大于50Hz信號(hào)幅值,且Vpeak>10mV,應(yīng)縮短檢測(cè)周期并密切監(jiān)測(cè)其增長(zhǎng)量,如果Vpeak>20mV,應(yīng)停電處理。對(duì)于363kV和550kV及以上設(shè)備,應(yīng)提高標(biāo)準(zhǔn)。