（含 HMM、HBM、MM 外部模塊）

1.描述

ES622 系列 TLP 脈沖 IV 曲線系統(tǒng)是一種先進(jìn)的 IV 曲線表征系統(tǒng)，旨在高功率時(shí)域中模擬 ESD 事件（TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM 脈沖）及監(jiān)控設(shè)備（半導(dǎo)體、分立器件、電路模塊等）。ES622相比之前的ES620，規(guī)格更高，功能更多，擴(kuò)展能力更強(qiáng)，軟件體驗(yàn)更佳。

傳輸線脈沖(TLP)測(cè)試功能旨在滿足最新的 ANSI/ESD STM5.5.1 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，并將高質(zhì)量矩形脈沖應(yīng)用于被測(cè)器件并記錄器件兩端的電壓和電流?？衫L出脈沖 IV 曲線，允許用戶在納秒級(jí)時(shí)間窗口內(nèi)表征器件的瞬態(tài)響應(yīng)。設(shè)備集成了先進(jìn)的自動(dòng)器件故障檢測(cè)方法，例如：直流抽檢（V 或 I）、靜態(tài) IV 曲線、熔斷、擊穿和偏置源波動(dòng)。

VF-TLP 測(cè)試旨在模擬 CDM 速度 ESD 事件，并在高速（例如<100 ps 上升時(shí)間）ESD 瞬態(tài)下捕獲 DUT 兩端的電壓和通過(guò) DUT 的電流。這允許用戶研究器件的響應(yīng)速度和峰值鉗位電壓。

人體金屬模型(HMM)測(cè)試功能是 IEC61000-4-2 系統(tǒng)級(jí) ESD 的替代測(cè)試方法。它為低歐姆設(shè)備提供了理想標(biāo)準(zhǔn)波形的等效波形，并消除了組件或晶圓級(jí)測(cè)試的許多 IEC 槍測(cè)試問(wèn)題，例如可重復(fù)性、槍尖不精確、阻抗不匹配、來(lái)自非屏蔽繼電器的 EMI 干擾以及具有大接地平面和耦合平面的特殊裝置等。

2.特點(diǎn)

• 可靈活配置的 TLP 脈沖 IV 曲線系統(tǒng)

• 超緊湊的設(shè)計(jì)系統(tǒng)

• 具有多線程處理能力的超快測(cè)試速度

• 提供 20 A、40A、50 A、100 A、125A、150 A 型號(hào)（可定制）

• 可用軟件提供高級(jí)系統(tǒng)和附件監(jiān)控和控制
  （開(kāi)關(guān)壽命監(jiān)視器、E-Cal 模塊、示波器衰減調(diào)整）

• 測(cè)試功能可通過(guò) VF-TLP、HMM、HBM、MM 選項(xiàng)進(jìn)行擴(kuò)展

• 多種故障自動(dòng)檢測(cè)方式
  （直流抽檢（V 或 I）或 IV 掃描、熔斷、擊穿和偏置電流變化）

• 軟件控制脈沖：突發(fā)、連續(xù)、IV 曲線表征

• 上升時(shí)間選項(xiàng)從 40 ps 到 1200 ns（取決于型號(hào)，可定制）

• 脈沖寬度選項(xiàng)從 1 ns 到 2000 ns（取決于型號(hào)，可定制）

注意*：EOS 系列支持更長(zhǎng)的脈沖應(yīng)用，脈沖寬度從幾百 ns 到幾 ms。

3.應(yīng)用

• ESD 性能表征

• 晶圓/封裝級(jí)ESD測(cè)試

• 系統(tǒng)/電路模塊ESD測(cè)試

• 安全操作區(qū)（SOA）測(cè)試

• 充電恢復(fù)時(shí)間測(cè)試

• 太陽(yáng)能電池板二極管特性

• 觸摸屏 ITO 微帶線熔斷和擊穿測(cè)試

相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：

• TLP / VF-TLP 選項(xiàng)符合 ANSI/ESD STM 5.5.1標(biāo)準(zhǔn)

• HMM 選項(xiàng)符合 ANSI/ESD SP5.6標(biāo)準(zhǔn)

• HBM 選項(xiàng)符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001標(biāo)準(zhǔn)

• MM 選項(xiàng)符合 ANSI/ESDA SP5.2標(biāo)準(zhǔn)

4.規(guī)格

ES622系列TLP單元規(guī)格表

ES62X-HMM2 外置人體金屬模型模塊
（短路DUT，符合ANSI / ESD SP5.6 的 100 Ω HMM）

ES62X-HBM2 外置人體模型模塊
(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 R=1.5 k?, C=100 pF)

5.訂購(gòu)信息

許多配置可根據(jù)客戶需求定制。ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)（含 HMM、HBM、MM 外部模塊）