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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 自動(dòng)化度 | 全自動(dòng) |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
SZ-M-2型手持?jǐn)?shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
SZ-M-2型手持?jǐn)?shù)字式四探針測(cè)試儀具有測(cè)量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類(lèi)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
基本技術(shù)參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率
電 阻： 0.010 ～ 9999Ω, 分辨率0.001 ～ 1 Ω
電 阻 率： 0.010～ 2000Ω-cm， 分辨率0.001 ～ 1 Ω-cm
方塊電阻： 0.050～ 2000Ω/□ 分辨率0.001 ～ 1 Ω/□
2. 材料尺寸
手持方式不限材料尺寸，但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定
直 徑：SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm。
SZT-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。
長(zhǎng)(高)度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm。.
測(cè)量方位: 軸向、徑向均可.
3. 量程劃分及誤差等級(jí)
量程（Ω-cm/□） | 9.999 | 99.99 | 999.9 | 9999. |
電阻測(cè)試范圍 | 0.010～9.999 | 9.99～99.99 | 99.99～999.9 | 999.9～9999 |
電阻率/方阻 | 0.010/0.050～9.999 | 9.99～99.99 | 99.99～999.9 | 999.9～2000 |
基本誤差 | ±1%FSB±2LSB | ±2%FSB±2LSB | ||
4) 適配器工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W，或電池供電
5) 外形尺寸：W×H×L=18cm×7.5cm×13cm
凈 重：≤0.5kg
探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類(lèi)半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類(lèi)等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開(kāi)關(guān)類(lèi)接觸電阻進(jìn)行測(cè)量。配探頭，也可測(cè)試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
配ST2253-F01測(cè)硅片電阻率
配ST2253-F01測(cè)硅片電阻率
儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測(cè)試臺(tái)。
主機(jī)主要由數(shù)控恒流源，高分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成，自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程。儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用一旋鈕輸入；具有零位、滿度自校功能；全自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀采用可充電電池供電，適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用！