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美國(guó)GE保護(hù)膜探頭

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) MB2S-EN MB2S B2S-EN B1S-E
  • 品牌 DRUCK/德魯克
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 北京市

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更新時(shí)間:2019-03-18 07:19:54瀏覽次數(shù):1391

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地類(lèi)別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 面議
MB2S-EN MB2S B2S-EN B1S-E?美國(guó)GE保護(hù)膜探頭京海興樂(lè)科技(北京)有限公司公司主要提供UT(超聲)MT(磁粉)PT(滲透)RT(射線)等設(shè)備及周邊耗材
主要經(jīng)營(yíng)品牌:美國(guó)奧林巴斯OLYMPUS(原泛美)、美國(guó)GE(原德國(guó)KK)、美國(guó)磁通Magnaflux
汕超(汕頭超聲)、瑞典蘭寶、美國(guó)SP公司、美國(guó)達(dá)高特、英國(guó)易高、新美達(dá)、德國(guó)MR、船牌、等等

詳細(xì)介紹

MB2S-EN MB2S B2S-EN B1S-E美國(guó)GE保護(hù)膜探頭

歐規(guī)接觸法直探頭

MB2S-EN MB2S B2S-EN B1S-E?美國(guó)GE保護(hù)膜探頭京海興樂(lè)科技(北京)有限公司公司主要提供UT(超聲)MT(磁粉)PT(滲透)RT(射線)等設(shè)備及周邊耗材
主要經(jīng)營(yíng)品牌:美國(guó)奧林巴斯OLYMPUS(原泛美)、美國(guó)GE(原德國(guó)KK)、美國(guó)磁通Magnaflux
汕超(汕頭超聲)、瑞典蘭寶、美國(guó)SP公司、美國(guó)達(dá)高特、英國(guó)易高、新美達(dá)、德國(guó)MR、船牌、等等

歐規(guī)接觸法直探頭

應(yīng)用

用于檢測(cè)簡(jiǎn)單形狀的工件中平行于表面的缺陷

鍛件、鑄件

金屬材料、玻璃、瓷器、陶瓷和塑料

板材、棒材、方形材

容器、機(jī)器零件、殼體

特點(diǎn)

縱波單晶探頭

適合DGS缺陷評(píng)判

性能參數(shù)誤差小,適合高精度檢測(cè)

可更換保護(hù)膜,保護(hù)探頭不被磨損

柔性保護(hù)膜,即使是在粗糙或輕微彎曲的表面上也能很好地耦合

合金壓鑄殼體,堅(jiān)固耐用

用于高溫檢測(cè)時(shí)可加裝高溫延遲塊(定制產(chǎn)品)

接觸法直探頭,帶保護(hù)膜

直探頭要用于手動(dòng)檢測(cè)。應(yīng)用接觸法探傷時(shí),需要在測(cè)量區(qū)域或多個(gè)測(cè)量區(qū)域涂上薄薄的一層耦合劑,然后直接將探頭放置在被測(cè)物體表面進(jìn)行檢測(cè)。接觸法探傷將探頭分別放置在各檢測(cè)點(diǎn)逐點(diǎn)檢測(cè),或者在被測(cè)物體表面連續(xù)移動(dòng)探頭來(lái)完成的。

接觸法直探頭帶保護(hù)膜探頭

應(yīng)用

•   一般檢測(cè)目的, 簡(jiǎn)單形狀的大零件

•   鍛件, 鑄件

•   板材, 棒材, 方型材

•   容器, 機(jī)器零件, 殼體

•   高溫檢測(cè)時(shí)帶延遲塊

性能特征

•   歐款有可更換膜:

- 在不平整和曲面上增進(jìn)耦合

- 延長(zhǎng)探頭壽命

- 適于DGS缺陷評(píng)定

- 可連接高溫延遲塊

- Lemo 1(B..S) 或 Lemo 00 (MB..S) 連接端口, 標(biāo)準(zhǔn)為側(cè)裝, 頂裝可選

•   美款有三種類(lèi)型的保護(hù):

- 膜可以在不平整和曲面上增進(jìn)耦合.

- 耐磨帽定期更換可*延長(zhǎng)探頭壽命

- 高溫延遲塊可以實(shí)現(xiàn)  00°F (  00°C)表面檢測(cè).

- BNC 連接端口, 頂裝或側(cè)裝

帶保護(hù)膜探頭歐洲規(guī)格

9.png

B..S 和 MB..S 型

0,5μS/Div 0-4MHz典型波形和頻譜

外殼類(lèi)型

A

B

C

mm

in

mm

in

mm

in

類(lèi)型2

30

1.18

59

2.32

45

1.69

類(lèi)型3

20

0.79

43

1.77

25

0.98

 

類(lèi)型

訂購(gòu)號(hào)碼

D

f

N

備注

mm

in

(MHz)

mm

in

B1S

57744

24

0.94

1

23

0.9

 

B1S-EN

500035

24

0.94

1

23

0.9

符合 DIN EN 12668-2

B1S-O

57755

24

0.94

1

23

0.9

頂端接口

B2S

57745

24

0.94

2

45

1.8

 

B2S-EN

500036

24

0.94

2

45

1.8

符合 DIN EN 12668-2

B2S-O

57756

24

0.94

2

45

1.8

頂端接口

B2S-O-EN

500267

24

0.94

2

45

1.8

符合 DIN EN 12668-2

頂端接口

B4S

57746

24

0.94

4

88

3.5

 

B4S-EN

500037

24

0.94

4

88

3.5

符合 DIN EN 12668-2

B4S-O

57757

24

0.94

4

88

3.5

頂端接口

B4S-O-EN

500268

24

0.94

4

88

3.5

符合 DIN EN 12668-2

頂端接口

B5S

57747

24

0.94

5

110

4.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MB2S

57748

10

0.39

2

8

0.3

 

MB2S-EN

500038

10

0.39

2

8

0.3

符合 DIN EN 12668-2

MB2S-O

57975

10

0.39

2

8

0.3

頂端接口

MB4S

57749

10

0.39

4

16

0.6

 

MB4S-EN

500039

10

0.39

4

16

0.6

符合 DIN EN 12668-2

MB4S-O

57976

10

0.39

4

16

0.6

頂端接口

MB5S

57750

10

0.39

5

20

0.8

 

MB5S-O

57977

10

0.39

5

20

0.8

頂端接口

可定制特殊規(guī)格

附件

描述

類(lèi)型

備注

保護(hù)膜

(1套=10片)

ES45(53756)

ES24(53769)

用于B..S;

用于MS..S

延遲塊或斜塊

特殊訂單

如用于高溫檢測(cè)

電纜線

PKLL2(50326)

MPKL2(50486)

用于B..S;

用于MS..S

帶保護(hù)膜探頭—北美規(guī)格

10.png

晶片尺寸

A

B

C

mm

in

mm

in

mm

in

mm

in

13

0.5

19.1

0.75

30.5

1.2

23.9

0.94

19

0.75

25.4

1

30.5

1.2

30.2

1.19

25

1

31.8

1.25

30.5

1.2

36.6

1.44

帶保護(hù)膜探頭—PFCR (側(cè)裝BNC), PFCS (頂裝BNC)

頻率

晶片尺寸Ø

訂購(gòu)號(hào)碼

頻率

晶片尺寸Ø

訂購(gòu)號(hào)碼

(MHz)

mm

in

Gamma 系列PFCR

Gamma 系列PFCR

(MHz)

mm

in

Gamma 系列PFCR

Gamma 系列PFCR

1

13

0.5

241-240

241-260

3.5

13

0.5

243-240

243-260

19

0.75

251-240

251-260

19

0.75

253-240

253-260

25

1

261-240

261-260

25

1

263-240

263-260

2.25

13

0.5

242-240

242-260

5

13

0.5

244-240

244-260

19

0.75

252-240

252-260

19

0.75

254-240

254-260

25

1

262-240

262-260

25

1

264-240

264-260

注意: 備用保護(hù)膜套裝另售. 可訂制特殊規(guī)格

備用保護(hù)膜套裝—PFCR/PFCS

套裝類(lèi)型

訂購(gòu)號(hào)碼

探頭晶片尺寸Ø

.5in

.75in

1.00in

(13mm)

(19mm)

(25mm)

PM

118-450-120

118-450-140

118-450-160

PWC

118-450-220

118-450-240

118-450-260

PHTD-1.0in(25.4mm)延遲塊

118-450-320

118-450-340

118-450-260

PHTD-1.5in(38.1mm)延遲塊

118-450-420

118-450-440

118-450-460

PM型工具包包括一個(gè)滾花環(huán)、壓緊螺母、扳手、12片薄膜和一瓶2盎司的耦合劑(不包括探頭) 。

PWC型工具包包括一個(gè)滾花環(huán)、三個(gè)防磨帽和一瓶2盎司的 耦合劑(不包括探頭) 。如果對(duì)近表面分辨率要求很高,則不能采用該選項(xiàng)。

PHTD型工具包包括一個(gè)滾花環(huán)、一個(gè)1英寸或1.5英寸長(zhǎng)的高溫延遲塊和一瓶2盎司的耦合劑 (不包括探頭) 。

 

訂購(gòu)號(hào)碼

探頭晶片尺寸Ø

.5in

.75in

1.00in

(13mm)

(19mm)

(25mm)

保護(hù)膜 每包12片

118-220-020

118-220-021

118-220-022

耐磨帽 每包12個(gè)

118-240-123

118-240-122

118-240-121

高溫延遲塊*長(zhǎng)1.0in(25.4mm)

118-440-027

118-440-031

118-440-035

高溫延遲塊*長(zhǎng)1.5in(38.1mm)

118-440-029

118-440-033

118-440-037

BNC 電纜線

118-140-016

保護(hù)膜,耐磨帽 以及延遲塊 耦合劑

118-300-740

*高溫(PHTD)延遲塊:zui高溫度400F,zui大接觸時(shí)間為10秒;重新使用前冷卻到環(huán)境溫度。

探頭選擇準(zhǔn)則與性能

直探頭---單晶

1.png

•   被檢測(cè)件有規(guī)則外形和相對(duì)光滑的接觸表面

•   接觸面或平或曲

•   缺陷或背反射平行于表面,可被垂直于表面的聲束探測(cè)

•   適于穿透厚部件

•   延遲塊用以提高近場(chǎng)分辨率

•   需要耦合層,一般為凝膠,油類(lèi),漿糊

•   通常用于手動(dòng)檢測(cè)

直探頭---雙晶

2.png

•   接受發(fā)射單元用串?dāng)_擋板分開(kāi)

•   缺陷或背反射平行于表面,可被垂直于表面的聲束探測(cè)

•   近表面分辨率好,用于較薄部件

•   需要耦合層,一般為凝膠,油類(lèi),漿糊

•   通常用于手動(dòng)檢測(cè)

斜探頭

3.png

•   晶片安裝在內(nèi)置的或者可更換的斜塊上

•   利用折射讓縱波或者橫波沿確定角度傳播

•   大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)探頭通過(guò)模式轉(zhuǎn)換

•   適于傾斜缺陷的檢測(cè),如焊縫

•   有單晶探頭和雙晶探頭

•   需要耦合層,一般為凝膠,油類(lèi)

•   有時(shí)用于機(jī)械化或自動(dòng)化檢測(cè)

水浸探頭

•   在水中匹配好,效率高

•   適于具有不規(guī)則表面的被檢測(cè)件

•   通常用于機(jī)械化或者自動(dòng)化檢測(cè)

•   耦合*性好,檢測(cè)重復(fù)性高

•   大型零件可以采用探頭架, 溢流法或者水射流法

•   探頭聚焦可以增進(jìn)效果

聚焦的優(yōu)點(diǎn)

4.png

•   球面聚焦形成點(diǎn)狀

•   柱面聚焦形成線狀

聚焦優(yōu)勢(shì)

5.png

探頭選擇準(zhǔn)則歐洲規(guī)格

按照歐洲標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的探頭, 本目錄提供的技術(shù)性能信息依照下表定義。

絕大多數(shù)的探傷儀探頭都免費(fèi)提供全面的性能數(shù)據(jù)表。

性能參數(shù)

解釋

晶片尺寸 D 或 a×b

探頭晶片的直徑D或長(zhǎng)度×寬度a×b。它的尺寸大小對(duì)聲波的傳輸有極大的影響。輕微的偏差,如形狀的偏差,或粘接不良造成的位置偏差而產(chǎn)生的聲能衰減,即使是利用參考缺陷進(jìn)行標(biāo)定,都將產(chǎn)生嚴(yán)重的評(píng)估誤差。

標(biāo)稱(chēng)頻率f

所有相同類(lèi)型探頭的均值頻率,頻率對(duì)反射體的評(píng)定有極大的影響。對(duì)斜反射體,頻率甚至影響聲場(chǎng)波形和反射特性。隨著頻率的增加,非垂直反射體對(duì)聲束的反射回波減小。這就是為什么每一個(gè)探頭都要由我們的質(zhì)量控制部門(mén)根據(jù)鑒定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行嚴(yán)格檢測(cè),以確定其頻率是否與標(biāo)稱(chēng)頻率相*,保證在一定的誤差范圍內(nèi)。這個(gè)數(shù)據(jù)輸入到探頭的數(shù)據(jù)參數(shù)表。

帶寬B

脈沖回波的幅值比zui高幅值下降   dB之間的頻率范圍。B=fo-fu/fx 100%   fo=幅值下降  dB的上限頻率,fu=幅值下降   dB的下限頻率,f為標(biāo)稱(chēng)頻率。例如,當(dāng)B=100%,一個(gè)4MHz的探頭的fo為6MHz,而fu為2MHz。大的帶寬意味著更短的脈沖回波,也就意味著高的分辨率和更好的穿透能力,因?yàn)榈皖l脈沖比標(biāo)稱(chēng)頻率脈沖的衰減小。在高衰減情形下,與標(biāo)稱(chēng)頻率相比,隨著距離的增加,反射信號(hào)的頻率減小。這一點(diǎn)在進(jìn)行缺陷評(píng)估時(shí)必須要加以考慮。因此每一個(gè)探頭的帶寬都要進(jìn)行檢查,并且與所有探頭的平均值相*,保證在一定的誤差范圍內(nèi)。

焦距F

F:小缺陷產(chǎn)生zui大回波時(shí)探頭到小缺陷的距離。探頭要進(jìn)行聚焦以便探測(cè)小缺陷并得到zui大的回波
幅值,只有在探頭的近場(chǎng)才可能聚焦。

近場(chǎng)長(zhǎng)度N

近場(chǎng)長(zhǎng)度N是非聚焦探頭的焦距長(zhǎng)度,它是聲軸線上能得到聲壓極大值的zui遠(yuǎn)距離。N的大小由D、c和f來(lái)決定。由于D>>λ,所以:N=Deff/4λ=Deffxf/4c其中λ為波長(zhǎng),c為聲速,Deff是單元有效直徑焦點(diǎn)處和近場(chǎng)長(zhǎng)度處聲能zui為集中,反射體zui易識(shí)別。因此重要測(cè)試場(chǎng)合一般預(yù)期缺陷在焦距或近場(chǎng)長(zhǎng)度處。表中的數(shù)據(jù)對(duì)鋼材而言,而水浸探頭為水。

焦點(diǎn)直徑FD

在焦距或近場(chǎng)長(zhǎng)度附近,聲壓值比主聲軸下降  dB處到主聲軸的距離

脈沖形狀

來(lái)自于平面反射面的信號(hào)表述。

頻譜

回波脈沖中所有頻率的顯示,頻率幅值在頻率上顯示。

聲束角度β

主聲束與檢測(cè)面法線之間的夾角

探頭選擇準(zhǔn)則北美規(guī)格

根據(jù)北美標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn), 通用電氣檢測(cè)科技提供三種系列的探頭: Alpha, Benchmark, 和Gamma系列。根據(jù)ASTME-0,對(duì)所有探傷儀所用探頭免費(fèi)提供波形和頻率證書(shū)。

Alpha 系列特性

6.png

•   推薦用于分辨率是首要考慮目標(biāo)的場(chǎng)合.

•   適于測(cè)厚和近表面缺陷測(cè)量.

•   脈沖短—機(jī)械衰減大到目前技術(shù)極限.

•   增益通常低于Benchmark和Gamma系列.

•   寬帶—6dB 帶寬范圍從50% 到100%.

•   依據(jù)頻率,尺寸和其他參數(shù),典型的Alpha 系列波形(右)有一到兩個(gè)周期振蕩。

Benchmark 系列特性

7.png

•   產(chǎn)品BENCHMARK COMPOSITE®(壓電復(fù)合材料)晶片

•   在衰減材料中的穿透力遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)探頭。

•   在粗晶,纖維增強(qiáng)復(fù)合等材料中信噪比高。

•   脈沖短—分辨率通常高于Gamma系列。

•   增益通常高于Gamma和Alpha系列。

•   超寬帶—6dB 帶寬范圍從60% 到120%.

•   低聲阻抗晶片提高了斜探頭、延遲式探頭和水浸探頭的性能—與塑料和水可以*地匹配。

Gamma 系列特性

8.png

•   通用型探頭,推薦用于大多數(shù)應(yīng)用。

•   中等脈沖寬度, 中等阻尼—增益和分辨率的*結(jié)合.

•   匹配電路在常用場(chǎng)合確保了zui大增益和理想的波形.

•   中等帶寬—典型的6dB帶寬從30% 到50%.

•   依據(jù)頻率,尺寸和其他參數(shù),典型的Gamma系列波形有三到四個(gè)周期振蕩。

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