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貨物所在地:上海上海市
更新時(shí)間:2024-08-22 21:00:07
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?產(chǎn)品介紹
TRIFT-V nanoTOF II(三次聚集飛行時(shí)間)二次離子質(zhì)譜儀是超靈敏的表面分析技術(shù),可檢測(cè)表面分子成分和分布,元素及其同位素。所有元素和同位素,包括氫都可以用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析。由初級(jí)脈沖離子束轟擊樣品表面所產(chǎn)生的二次離子,經(jīng)飛行時(shí)間分析器分析二次離子的荷質(zhì)比,從而得知樣品表面信息。
PHI nanoTOF IITM飛行時(shí)間質(zhì)譜儀是第五代SIMS儀器,該儀器具有*的飛行時(shí)間(TOF)分析儀,它擁有市場(chǎng)上TOF-SIMS儀器中大的角度和能量接收范圍,它使用了具有優(yōu)良離子傳輸能力的三級(jí)聚焦半球形靜電分析器,實(shí)現(xiàn)了高空間分辨率和質(zhì)量分辨率。PHI nanoTOF IITM還具有很高的成像能力,可以表征形貌復(fù)雜的樣品而沒有陰影效應(yīng)。
?飛行時(shí)間質(zhì)譜儀-特點(diǎn):
1、立體收集角度大和深景深
2、同時(shí)實(shí)現(xiàn)高空間及高能量分辨模式
3、視野范圍小可至5微米
4、低背景和亞穩(wěn)抑制
5、多種離子槍選配實(shí)現(xiàn)高精度深度剖析
6、FIB-TOF三維深度分布成像
7、串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS (有機(jī)高分子材料分析*附件)
8、SmartSoftTM-TOF配合WinCadence軟件易于操作
9、多樣化的樣品托
?nanoTOF II儀器規(guī)格:
Bi 作為一次離子源時(shí):
1、低質(zhì)量數(shù)質(zhì)量分辨率(m/Δm):硅(28Si+和28SiH+)在12000以上
2、高質(zhì)量數(shù)質(zhì)量分辨率(m/Δm):m/z > 200,在 16,000以上
3、有機(jī)材料的質(zhì)量分辨率(m/Δm):PET(104 amu)在12000以上
4、小離子束直徑:70納米(高空間分辨率模式)、0.5μm(高質(zhì)量分辨率模式)
?nanoTOF II選配
串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS、氬氣團(tuán)簇離子槍、C60離子槍、銫離子槍、氬/氧離子濺射槍、樣品冷卻/加熱系統(tǒng)、樣品高溫加熱系統(tǒng)、真空轉(zhuǎn)移裝置、氧噴射系統(tǒng)、Zalar高速旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)、聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)、前處理室、各種樣品托、離線數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)、Static SIMS Library等。
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