詳細介紹
光譜橢偏儀廣泛用于薄膜分析和測量。
holmarc HO-SE-01 變角橢偏儀結(jié)合了旋轉(zhuǎn)分析儀橢偏儀技術(shù)來表征薄膜樣品。它使用高速CCD陣列檢測來收集整個光譜。它可以測量從納米厚度到數(shù)十微米的薄膜,以及從透明到吸收材料的光學(xué)特性。它可以精確地測量光學(xué)常數(shù),例如折射率,薄膜厚度和消光系數(shù)。
光譜范圍:450-800nm |
探測器:線陣CCD攝像機 |
分辨率:2nm |
光源:鹵素?zé)?/td> |
入射角:50-75度(分辨率:0.1度,自動操作) |
厚度測量范圍:0.1nm-10micron |
膜厚分辨率:0.01nm |
測得的RI分辨率:0.001 |
樣品對準(zhǔn):半自動(光學(xué)檢測),手動10mm高度調(diào)節(jié)和傾斜 |
樣品臺特點:X-Y平移超過150 x 150mm(可選) |
可測量的薄膜參數(shù):折射率,消光系數(shù),吸收系數(shù)和薄膜厚度 |
軟件功能: |
采集和分析不同波長和角度下的PSI,增量和反射率 |
用戶可擴展材料庫 |
數(shù)據(jù)可以另存為Excel或文本文件 |
*的數(shù)學(xué)擬合算法 |
提取厚度和光學(xué)常數(shù) |
參數(shù)化模型 |
多層厚度測量 |
橢偏原理
橢偏法是用于薄膜分析的高度靈敏的技術(shù)。該原理依賴于從表面反射時光的偏振態(tài)的變化。
表征極化狀態(tài),對應(yīng)于電磁波電場的方向;選擇兩個方向作為參考,p方向(平行)和s方向(垂直)。反射光具有在p方向和s方向上不同的相位變化。橢偏法測量這種極化狀態(tài);
p = rp / rs = tan Ψe iΔ
其中Ψ和Δ是振幅比和p的相移和S組分。由于橢圓偏振法正在測量兩個值的比率,因此它非常準(zhǔn)確且可重現(xiàn)。
特征
無損非接觸技術(shù)
單層和多層樣品的分析
精確測量超薄膜
測量,建模和自動操作軟件
對(Ψ,Δ)的統(tǒng)一測量靈敏度
此款產(chǎn)品不用于醫(yī)療,不用于臨床使用,此產(chǎn)品僅用于科研使用。