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CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術是實現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機銷售商的機械設計。靈敏度可以通過使用嵌入式TEC進一步提高，高可靠性可以通過密封金屬封裝來實現(xiàn)。

FPA-640*512 InGaAs Imager（0.9um-1.7um）

CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術是實現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機銷售商的機械設計。靈敏度可以通過使用嵌入式TEC進一步提高，高可靠性可以通過密封金屬封裝來實現(xiàn)。

Features（特點） 640*512陣列格式 25um 象元間距 Kovar metal一級制冷 低暗電流 高量子效率 高可操作性

Applications（應用） 近紅外成像 超光譜 秘密監(jiān)察 半導體檢測 天文學和科學 工業(yè)熱成像

FPA-640*512說明

參數(shù)	單位	zui小值	zui大值
工作溫度范圍	℃	-20	+85
儲存溫度范圍	℃	-40	+85
功耗	mW	---	325
TEC 電流	A	---	1.8
TEC 電壓	V	---	15.4

FPA Characteristics（FPA特性）

參數(shù)	典型值	條件
光譜響應	0.9-1.7um	---
zui小像素的可操作性	>99%	636*508內(nèi)的中心地區(qū)
暗電流	<0.2PA	25℃,0.1V探測器偏壓
量子效率	>70%	λ=1.0um-1.6um
探測率	≥5*1011 jones	25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益
響應非均勻性	<10%	飽和度低于50%,25℃
非線性(zui大偏差)	<2%	超過15%-85%全阱容量，低增益
zui大像素率	10MHz	---
增益	High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e-	25℃
TEC 制冷	ΔT>70℃	無需加載

1.3、隨著技術的不斷革新，現(xiàn)CLPT公司也提供：

1）CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，響應波段在1.2-2.2um范圍的320*256面陣探測器；

2）CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，體積更小，質(zhì)量更輕的320x256和640x512面陣探測器，