詳細(xì)介紹
二手蔡司場發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25 SUPRA™系列的多種儀器提供了全面的成像解決方案,可滿足半導(dǎo)體、材料分析、藥品制造和生命科學(xué)等領(lǐng)域中苛刻的應(yīng)用要求。對于不導(dǎo)電樣品,采用可變壓力(VP)技術(shù)的增強(qiáng)型可變壓力二次電子探測器(VPSE)可以得到的圖像和分析結(jié)果。GEMINI®鏡筒具有成像能力,尤其是在工作電壓低于1kV時(shí)成像能力尤為出色,這就使得SUPRA™成為適合所有納米科學(xué)應(yīng)用的成像工具。
主要特點(diǎn):
? 在整個(gè)電壓范圍內(nèi)的超高分辨率,
? 電壓范圍至0.1 kV,所需調(diào)整極少,
? 高束流,高穩(wěn)定性,
? 高效In-lens二次電子檢測器,可實(shí)現(xiàn)高分辨率的表面成像,
? 增強(qiáng)型VPSE探測器,可實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電試樣的成像
? 基于Windows® XP的SmartSEM™控制軟件,操作簡便
這是由于在掃描電鏡中,當(dāng)電子束源源不斷的轟擊到樣品上時(shí),入射電子的電流等于二次電子電流、背散射電子電流、樣品接地電流和荷電電流的總和。對于導(dǎo)電性能好的樣品,入射電子束產(chǎn)生的荷電電荷通過接地導(dǎo)走,不存在表面荷電現(xiàn)象。而對于導(dǎo)電性能不佳的樣品,其接地電流幾乎為零。當(dāng)樣品表面產(chǎn)生的二次電子和背散射電子的總和小于入射電子數(shù)時(shí),樣品表面呈負(fù)電位,在負(fù)電場的作用下使電子獲得加速,更多的電子被探測器接收到,二次電子圖像發(fā)亮;當(dāng)樣品表面產(chǎn)生的二次電子和背散射電子的總和多于入射電子數(shù)時(shí),樣品表面呈正電位,正電場將電子吸引回樣品內(nèi),使探測器中接收到的電子數(shù)量減少,二次電子圖像呈現(xiàn)局部發(fā)黑的現(xiàn)象。如圖1a所示,用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)拍攝不導(dǎo)電的碳纖維形貌,采用10kV的加速電壓,樣品出現(xiàn)了非常嚴(yán)重的荷電現(xiàn)象,圖像同時(shí)表現(xiàn)出局部發(fā)亮和發(fā)黑的情況。
二手蔡司場發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25 應(yīng)用范圍
目前最常見的減輕荷電現(xiàn)象的方法是通過離子濺射或蒸鍍的方法,在樣品表面沉積或鍍上一層比較均勻、細(xì)膩的金屬層,從而增加樣品的導(dǎo)電性。但該方法仍然不能有效解決樣品出現(xiàn)荷電現(xiàn)象的問題,還可能掩蓋樣品的真實(shí)結(jié)構(gòu)。場發(fā)射掃描電鏡具有良好的發(fā)射電流穩(wěn)定度和優(yōu)異的低壓圖像質(zhì)量。一般加速電壓范圍在1kV~30kV分檔或連續(xù)可調(diào)。加速電壓的高低決定了入射電子束能量的高低,從而影響了入射電子的擴(kuò)展范圍。使用低加速電壓,由于其電子束能量低、作用范圍小,激發(fā)出的二次電子能量少,不僅可以減少對樣品的損傷,還能有效的減少樣品表面荷電現(xiàn)象,更適合觀測不導(dǎo)電樣品。
以上述的碳纖維為例,將加速電壓降至5kV,荷電現(xiàn)象明顯減輕(圖1b),進(jìn)一步將加速電壓降至2kV,基本消除了荷電現(xiàn)象(圖1c)。同時(shí),使用低加速電壓時(shí),入射電子與樣品的作用深度較淺,激發(fā)出的二次電子主要來源于樣品入射區(qū)極表層,更有利于觀察樣品的淺表面結(jié)構(gòu),對樣品的損傷也較小。