二手蔡司場發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25系列產(chǎn)品配備有經(jīng)過改進的第三代GEMINI®鏡筒、概念新穎的樣品臺、智能化硬件控制板和新型高效率的透鏡內(nèi)二次電子探測器。SUPRA™系列場發(fā)射掃描電子顯微鏡是卡爾蔡司半導體事業(yè)部的納米技術(shù)系統(tǒng)部向市場推出的功能最多的場發(fā)射掃描電子顯微鏡。具有當前儀器所具有的所有特征：如在圖像質(zhì)量超高分辨率、工作電壓切換方便、出色的束流穩(wěn)定性、全分析型樣品室。

二手蔡司場發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25  SUPRA™系列的多種儀器提供了全面的成像解決方案，可滿足半導體、材料分析、藥品制造和生命科學等領(lǐng)域中苛刻的應用要求。對于不導電樣品，采用可變壓力（VP）技術(shù)的增強型可變壓力二次電子探測器（VPSE）可以得到的圖像和分析結(jié)果。GEMINI®鏡筒具有成像能力，尤其是在工作電壓低于1kV時成像能力尤為出色，這就使得SUPRA™成為適合所有納米科學應用的成像工具。

主要特點：
? 在整個電壓范圍內(nèi)的超高分辨率，
? 電壓范圍至0.1 kV，所需調(diào)整極少,
? 高束流，高穩(wěn)定性，
? 高效In-lens二次電子檢測器，可實現(xiàn)高分辨率的表面成像，
? 增強型VPSE探測器，可實現(xiàn)不導電試樣的成像
? 基于Windows® XP的SmartSEM™控制軟件，操作簡便

     這是由于在掃描電鏡中，當電子束源源不斷的轟擊到樣品上時，入射電子的電流等于二次電子電流、背散射電子電流、樣品接地電流和荷電電流的總和。對于導電性能好的樣品，入射電子束產(chǎn)生的荷電電荷通過接地導走，不存在表面荷電現(xiàn)象。而對于導電性能不佳的樣品，其接地電流幾乎為零。當樣品表面產(chǎn)生的二次電子和背散射電子的總和小于入射電子數(shù)時，樣品表面呈負電位，在負電場的作用下使電子獲得加速，更多的電子被探測器接收到，二次電子圖像發(fā)亮;當樣品表面產(chǎn)生的二次電子和背散射電子的總和多于入射電子數(shù)時，樣品表面呈正電位，正電場將電子吸引回樣品內(nèi)，使探測器中接收到的電子數(shù)量減少，二次電子圖像呈現(xiàn)局部發(fā)黑的現(xiàn)象。如圖1a所示，用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)拍攝不導電的碳纖維形貌，采用10kV的加速電壓，樣品出現(xiàn)了非常嚴重的荷電現(xiàn)象，圖像同時表現(xiàn)出局部發(fā)亮和發(fā)黑的情況。 

 二手蔡司場發(fā)射電鏡SEM+EDX SUPRA25   應用范圍

      目前最常見的減輕荷電現(xiàn)象的方法是通過離子濺射或蒸鍍的方法，在樣品表面沉積或鍍上一層比較均勻、細膩的金屬層，從而增加樣品的導電性。但該方法仍然不能有效解決樣品出現(xiàn)荷電現(xiàn)象的問題，還可能掩蓋樣品的真實結(jié)構(gòu)。場發(fā)射掃描電鏡具有良好的發(fā)射電流穩(wěn)定度和優(yōu)異的低壓圖像質(zhì)量。一般加速電壓范圍在1kV～30kV分檔或連續(xù)可調(diào)。加速電壓的高低決定了入射電子束能量的高低，從而影響了入射電子的擴展范圍。使用低加速電壓，由于其電子束能量低、作用范圍小，激發(fā)出的二次電子能量少，不僅可以減少對樣品的損傷，還能有效的減少樣品表面荷電現(xiàn)象，更適合觀測不導電樣品。

以上述的碳纖維為例，將加速電壓降至5kV，荷電現(xiàn)象明顯減輕(圖1b)，進一步將加速電壓降至2kV，基本消除了荷電現(xiàn)象(圖1c)。同時，使用低加速電壓時，入射電子與樣品的作用深度較淺，激發(fā)出的二次電子主要來源于樣品入射區(qū)極表層，更有利于觀察樣品的淺表面結(jié)構(gòu)，對樣品的損傷也較小。