TaNi2Te2、TaNi2Te3、V2NiSe4、Zr5Te4晶體
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TaNi2Te2、TaNi2Te3、V2NiSe4、Zr5Te4晶體
V2NiSe4晶體
材料名稱 Name |
V2NiSe4
|
性質(zhì)分類 Electrical properties |
金屬性，導(dǎo)材料，拓?fù)潴w |
禁帶寬度 Bangap | 0 eV |
合成方法 Synthetic method | CVT |
剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation |
Medium |
| 保存注意事項(xiàng) Notice | 晶體需要避開水氧保存 |
相關(guān)產(chǎn)品：
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| 摻鎳(Ni)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | （單層和多層 ）厚度可定制 | 拓?fù)潴w |
| 摻鈮(Nb)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體 | >50平方毫米 | 拓?fù)潴w |
| 摻錸(Re)MoSe2晶體 | >50平方毫米 | 拓?fù)潴w |
| MoSe2 二硒化鉬晶體 | >10平方毫米 | 拓?fù)潴w |
| 摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體 | >25平方毫米 | 拓?fù)潴w |
| MoS2 二硫化鉬晶體>10、25、100平方毫米 | >50平方毫米 | 拓?fù)潴w |
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