鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片(單面或雙面拋光)
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鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片(單面或雙面拋光)
鎵酸釹（NdGaO3）晶體基片是近十年中發(fā)展起來的基片，主要用作高溫導(dǎo)體（如YBCO）及磁性材料的外延薄膜生長用基片。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很?。▇0.27%），且無結(jié)構(gòu)相變，在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量的薄膜。
鎵酸釹（NdGaO3）晶體基片主要性能參數(shù)
晶體結(jié)構(gòu) | 正交 |
晶胞參數(shù)Å | a=5.43、b=5.50、c=7.71 |
熔點(diǎn) | 1600℃ |
密度 | 7.57g/cm3 |
介電常數(shù) | 25 |
生長方法 | 提拉法 |
尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″,Ф2.6″ |
厚度 | 0.5mm，1.0mm |
拋光 | 單面或雙面 |
晶向 | ＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ |
晶面定向精度: | ±0.5° |
邊緣定向精度: | 2°（要求可達(dá)1°以內(nèi)） |
斜切晶片 | 可按某些需求，加工邊緣取向的晶面按某些角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片 |
Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
包裝 | 100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)凈室 |
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