Si+GaN、Si+Cu、Si+BN硅基氮化硼外延薄膜

西安齊岳生物供應(yīng)一系列的導(dǎo)電薄膜：Si+GaN薄膜：
別稱：Si 晶圓外延 Gan 薄膜 (si + Gan 薄膜)
Si襯底上GaN薄膜
Si基GaN薄膜
Si+Cu薄膜:
多孔Si/Cu復(fù)合薄膜
Si上鍍Cu薄膜
Si基上電沉積Cu薄膜
YSZ+CeO2薄膜 30-50nm
CeO2/YSZ復(fù)合薄膜 30-50nm
CeO2/YSZ薄膜
Si+BN薄膜
Si/BN硅基氮化硼薄膜
單層氮化硼薄膜Si基底 CAS號7440-42-8
Si摻雜的c-BN薄膜
Si上的Cu外延膜
SiBN復(fù)合薄膜
FTO膜
Glass+FTO薄膜
玻璃板上涂氟氧化錫（FTO）
鍺(GOI)薄膜
體上鍺(GOI)薄膜
薄Si過渡層制備體上Ge(GOI)材料
GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜
GaAs （半）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜
GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜
GaAs/AIGaAs壓阻薄膜（常規(guī)尺寸10x10x0.5mm；注：可以按照客戶要求加工）。

Si+GaN、Si+Cu、Si+BN硅基氮化硼外延薄膜

GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等，能夠滿足現(xiàn)代電子對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對的高發(fā)展和國防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。

目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時(shí)無法匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。

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溫馨提示：用于科研哦?。▃hn2020.05.19）