Si襯底上AlN外延薄膜（Si+AlN dia4）

西安齊岳生物供應(yīng)一系列的導(dǎo)電薄膜：ITO膜、InAlAs膜、InGaAs膜、InGaP膜、ITO+ZnO、La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3、La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3、SiO2+Pt 薄膜、SrMoO4薄膜、LaFeO3膜、LaNiO3膜、La1-xSrxMnO3膜、La1-xSrxTiO3膜、La2Zr2O7膜、Mo膜、MoS2膜、Ni膜、Pt膜、Si3N4膜、SOS膜、SOI膜SiC?4H?膜P型、SiC-3C膜、SiO2膜、SrTiO3膜、YBCO膜、YIG膜、ZnO膜、摻雜ZnO膜、SrRuO3薄膜、TiO2薄膜、ZnO +Au+Cr、ZnO+SiO2、ZnO+鈉鈣玻璃、ZnO+Pt+Ti（常規(guī)尺寸10x10x0.5mm；注：可以按照客戶要求加工）。

Si襯底上AlN外延薄膜（Si+AlN dia4）

代半導(dǎo)體材料是我國(guó)十三五規(guī)劃的重要組成部分,作為代半導(dǎo)體材料的AlN是一種性能的Ⅲ-V族氮化物材料,具有寬的禁帶寬度、高的表面聲波速度以及高的熱導(dǎo)率,成為紫外與深紫外光電子器件、表面聲波器件、集成電路層等領(lǐng)域的材料。目前常見(jiàn)制備AlN外延薄膜的襯底有藍(lán)寶石和SiC,但藍(lán)寶石襯底導(dǎo)電導(dǎo)熱性能差,SiC襯*格昂貴,因此其商業(yè)化發(fā)展。Si襯底因價(jià)格低廉、工業(yè)化成熟以及大尺寸易制備等特點(diǎn)廣受關(guān)注。然而由于Si襯底與AlN間較大的晶格失配和熱失配,Al吸附原子在生長(zhǎng)面上遷移率低以及金屬有機(jī)化合物氣相沉積技

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Si/SiO2/Cr/Au復(fù)合薄膜
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Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜N型不摻雜
Nb：SrTiO3+Ba1-xSrxTiO3薄膜
Ba1-xTiO3型薄膜  400nm
摻鈮SrTiO3基片 400nm單面拋光薄膜
Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜
Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 10x10 x 0.5 mm
SrTiO3襯底上BiFeO3薄膜
Nb∶SrTiO3單晶基片上外延生長(zhǎng)BaTiO3薄膜
Fe3O4/BiFeO3復(fù)合薄膜
Si+SiO2+Ta+Cu薄膜
Si/SiO2/Ta/Cu薄膜
Cu/Ta/SiO2/Si薄膜
Si襯底上Ta-N/Cu薄膜
Si+SiO2+Ti+Au薄膜
Si/SiO2/Cr/Au/Ti 襯底薄膜
鍍金硅片鍍鉑硅片ptPt/Ti/SiO2/Si

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